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688416 科创 恒烁股份


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恒烁股份:2024年年度报告摘要

公告日期:2025-04-26


公司代码:688416                                                  公司简称:恒烁股份
    恒烁半导体(合肥)股份有限公司

          2024 年年度报告摘要


                            第一节 重要提示

1、 本年度报告摘要来自年度报告全文,为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划,投资者应当到上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)网站仔细阅读年度报告全文。
2、 重大风险提示

    报告期内公司实现归属于上市公司股东的净利润-16,099.89 万元,归属于上市公司股东的扣
除非经常性损益的净利润-17,856.33 万元。2024 年,公司所处行业竞争激烈,公司以保持市场占有率为策略,加大销售力度,相较于去年同期产品出货量增加,但公司主要产品的平均销售单价和毛利率较去年同比下滑,同时叠加存货跌价准备的计提、期间费用率较高等因素,导致业绩仍然亏损。

    公司已在本报告中描述可能存在的风险,敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分,请投资者注意投资风险。
3、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
4、 公司全体董事出席董事会会议。
5、 容诚会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

    经容诚会计师事务所(特殊普通合伙)审计,公司2024年度实现归属于上市公司股东的净利润为人民币-16,099.89万元,截至2024年12月31日,母公司期末可供分配利润为人民币-17,014.35万元。充分考虑到公司的整体盈利水平以及实际发展需求,为更好地维护全体股东的长远利益,公司2024年度拟不分配利润,不派发现金红利,资本公积不转增股本,不送红股。

    上述2024年年度利润分配议案已经第二届董事会第八次会议及第二届监事会第七次会议审议通过,该议案尚需提交公司2024年年度股东大会审议。
8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用


                          第二节 公司基本情况

1、 公司简介
1.1 公司股票简况
√适用 □不适用

                                    公司股票简况

  股票种类    股票上市交易所及板块    股票简称      股票代码      变更前股票简称

    A股      上海证券交易所科创板    恒烁股份        688416          不适用

1.2 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
1.3 联系人和联系方式

                          董事会秘书                        证券事务代表

姓名                        周晓芳                            肖倩倩

联系地址      合肥市庐阳区天水路与太和路交口西北 合肥市庐阳区天水路与太和路交口西北
                庐阳中科大校友企业创新园11号楼    庐阳中科大校友企业创新园11号楼

电话                    0551-65673252                      0551-65673252

传真                    0551-65673252                      0551-65673252

电子信箱            Zbitsemi@zbitsemi.com              Zbitsemi@zbitsemi.com

2、 报告期公司主要业务简介
2.1 主要业务、主要产品或服务情况

    1、主要业务情况

    公司是一家主营业务为存储芯片和 MCU 芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司
现有主营产品包括 NOR Flash 存储芯片、基于 Arm? Cortex?-M0+内核架构的通用 32 位 MCU 芯
片、AI 芯片业务(通用 AI SoC 芯片、AI 算法模型和 AI 模组板卡)和嵌入式存储产品业务(利
基型 NAND Flash 和 eMMC 芯片产品)。

    2、主要产品

    (1)NOR Flash 存储芯片

    公司 NOR Flash 产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性方面均处于行业主
流水平,部分产品技术水平达到行业先进水平。自主研发的 NOR Flash 产品,采用高速串行外设接口(SPI)技术,以其高可靠性、低功耗特性、良好的兼容性和成本效益而受到市场青睐。

    ①技术工艺:公司的 NOR Flash 产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺(Floating Gate 工艺,
也称为 ETOX 工艺)。这种基于 ETOX 的 NOR Flash 技术完全拥有国内自主知识产权,无需依赖
外部技术授权。经过长期和广泛的客户验证,该技术已证明其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时,公司在 2024 年开展 NORD 架构相关产品研发,力争保持产品及技术领先。

    ②制程技术:目前销售的主要 NOR Flash 产品采用了武汉新芯的 50nm 制程技术,以及中芯

国际的 55nm 制程技术。除部分特殊应用领域产品保留 65nm 工艺节点,其他全系 NOR Flash 产
品,已全面过渡到 5Xnm 工艺节点,以提高产品性能和生产效率。

    ③容量选择:能够提供从 1Mb 到 256Mb 的 NOR Flash 产品系列,以满足不同容量需求的市
场。

    ④工作电压:公司 NOR Flash 产品根据工作电压可分为三个系列:低电压(1.65-2.0V)、高
电压(2.3-3.6V)以及宽电压(1.65-3.6V),全面覆盖了市场上主要的工作电压等级。

    ⑤性能参数:公司的 NOR Flash 产品支持最高 166MHz 的工作频率,在双线(SPI Dual Mode)
和四线(SPI Quad Mode)的工作模式下,数据传输带宽可分别达到 332Mbits/s 和 664Mbits/s。在
双边沿数据传输模式下,数据带宽更是高达 532Mbits/s。静态电流低至 1μA,工作温度范围标准
为-40℃至 125℃,数据保持时间长达 20 年,擦写次数可达 10 万次,确保了产品的长期稳定性和
耐用性。

    ⑥车规认证:部分 NOR Flash 产品已通过 AECQ-100 的标准认证,公司致力于未来实现车规
产品全容量系列的认证,以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。

    综上所述,公司的 NOR Flash 产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频率、工作
温度适应性以及产品稳定性方面均处于行业主流水平,部分产品技术已达到行业先进水平,能够为客户提供了高性能和高可靠性的存储解决方案。

    (2)MCU 芯片

    公司目前销售的 M0+核心的通用 32 位微控制器(MCU)芯片共包含超过 30 种型号。这些芯
片采用 55nm 超低功耗嵌入式闪存技术制造,具备宽电压工作范围、低动态功耗、低待机电流、丰富的集成外设以及高性价比等特点。这些系列产品集成了高精度模数转换器(ADC)、实时时钟(RTC)、比较器、多通道通用异步收发传输器(UART)等多样的模拟和数字外设。它们同时支持两种低功耗工作模式:休眠模式和深度休眠模式,后者允许在 3μs 内快速唤醒。整个系统的动态功耗低于 100μA/MHz,而深度休眠模式下的功耗则低于 1μA。

    目前,公司已基本完成通用 MCU 低功耗产品线的布局,产品覆盖了从 20PIN-48PIN 的多种
应用场景,使得客户在选择基于 M0+核心的 MCU 时拥有更全面的选项。

    (3)AI 业务

    公司 AI 业务产品主要包括通用 AI SoC 芯片、AI 算法模型和 AI 模组板卡。

    AI SoC 芯片,采用 RISC 内核,功能强大,适配性强,性价比高,已经开始批量出货。

    AI 算法软件,包括 TinyML 视频分割算法、TinyML 视觉识别算法、TinyML 语音识别算法、
TinyML 语音声纹算法和 TinyML 语音降噪算法 5 大类别,具有模型精简、占用硬件资源少、能耗
低的优势,广泛部署到通用 MCU/DSP 硬件上运行。

    AI 模组板卡,融合了芯片、算法产品以及软件部署技术,基于包含 Cortex-M 内核 MCU、
Cortex-A 内核 CPU、RISC 内核 MCU 及 MCU+DSP 核的 MCU 等模组板卡硬件计算平台,持续推
出不同场景应用、多种硬件平台的软硬一体 AI 模组板卡产品。公司不同系列产品能够既用于 AI
音频功能实现,满足 AI 语音识别、AI 声纹识别、AI 语音降噪等应用场景需求,又能用于 AI 视
频功能实现,满足 AI 图像分割、图像识别及视觉动作分析等应用场景需求。

    (4)嵌入式存储产品业务

    a.SPI NAND


    采用主流 24nm 原厂晶圆搭载一颗 SPI 接口 controller,内置 ECC 纠错算法,ECC 纠错能力可
达 8b/512B,比传统 single die 方案产品,额外搭载 SPI 控制器中固件可更好的使其满足数据传输
效率的同时,可提供更高的可靠性和稳定性,以满足客户复杂的应用场景需求。

    b.SD NAND

    采用主流 24nm 原厂晶圆搭载一颗 SD 接口 controller,提供定制化 Firmware,ECC 纠错能力
可达 8b/512B。相较 TF card 产品,产品尺寸更小,同时 WSON8 的封装使其满足数据传输效率的
同时,可提供更高防震性,以避免存在晃动场景造成的接触不良。

    c.PPI NAND

    采用 24nm 原厂晶圆内置 ECC Engine,ECC 纠错能力可达 8bit/512Byte,兼容 x8 和 x16 的并
行接口,完全满足客户大数据量的读写。同时提供 BGA24、BGA63 和 TSOP48 多种封装形式的产品,以满足客户的不同封装需求。

    d.eMMC 产品

    随着智能终端设备对存储容量和性能要求的提升,为了满足客户对高速数据传输和稳定运行的需求。基于主流闪存芯片打造的 eMMC 5.1 嵌入式存储产品,最大顺序读取速度达 320MB/s,支持动态 SLC 缓存,为终端设备提供稳定高性能。同时内置固件算法提供自动后台检测、磨损平衡、垃圾回收、纠错算法 LDPC 等,确保了产品的低延迟、高数据保持性和长使用周期。产品涵盖 8GB、32GB、64GB、128GB、256GB 多种容量设计,能够为智能电视、IPC、手机终端、以及其他 AIoT 等不同终端客户,提供不同容量的高性能、高可靠性的存储解决方案。
2.2 主要经营模式

    自成立以来,公司的经营模式一直为 Fabless 模式,专注于芯片的研发、设计和销售,晶圆代
工、晶圆测试和芯片封测等环节通过委外方式实现。公司采用目前经营模式有利于公司集中资源进行芯片设计研发,快速实现产品布局和更新迭代,及时适应市场变化、满足客户需求,从而充分发挥公司的竞争优势,同时避免巨额资金投入,降低公司的经营风险。此外,公司采用 Fabless经营模式,可根据不同晶圆代工厂工艺制程特点来定义自身产品的技术路线,实现差异化竞争并弥补不