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688147 科创 微导纳米


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微导纳米:江苏微导纳米科技股份有限公司2023年年度报告摘要

公告日期:2024-04-29

微导纳米:江苏微导纳米科技股份有限公司2023年年度报告摘要 PDF查看PDF原文

公司代码:688147                                                公司简称:微导纳米
      江苏微导纳米科技股份有限公司

          2023 年年度报告摘要


                            第一节 重要提示

1  本年度报告摘要来自年度报告全文,为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
  划,投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2  重大风险提示
公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅第三节 管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。
3  本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
  完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
4  公司全体董事出席董事会会议。
5  天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6  公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7  董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

  公司拟向全体股东每10股派发现金红利0.85元(含税)。截至第二届董事会第十二次会议通知日(2024年4月16日),公司总股本454,455,359股,以扣减回购专用证券账户中股份总数803,658股后的股本453,651,701股为基数,以此计算合计拟派发现金红利38,560,394.59元(含税)。

  如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间,公司总股本发生变动的,拟维持每股分配比例不变,相应调整分配总额,并将另行公告具体调整情况。

  上述事项已经董事会审议通过,尚需提交股东大会审议。
8  是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

                          第二节 公司基本情况

1  公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用

                                  公司股票简况

    股票种类    股票上市交易所及板块    股票简称      股票代码    变更前股票简称

  人民币普通股  上海证券交易所科创板    微导纳米      688147        不适用

    (A股)
公司存托凭证简况

联系人和联系方式

  联系人和联系方式    董事会秘书(信息披露境内代表)        证券事务代表

        姓名                        龙文                        朱敏晓

      办公地址            无锡市新吴区长江南路27号      无锡市新吴区长江南路27号

        电话                    0510-81975986                  0510-81975986

      电子信箱              wen.long@leadmicro.com        wen.long@leadmicro.com

2  报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况

  公司已开发和正在开发的多款薄膜沉积设备,具体如下:

  1、半导体领域主要产品

 产品系列        产品图示                        产品说明                产业化
                                                                              阶段

                                  适用于高介电常数(High-k)栅氧层、MIM 电

iTomic 系列                        容器绝缘层、TSV 介质层等薄膜工艺需求。

原子层沉积                        产品凭借原子级别的精确控制、沉积薄膜的高  产业化
 镀膜系统                          覆盖率和超薄膜厚的均匀性,可为逻辑芯片、  应用
                                  存储芯片提供介质层等关键工艺解决方案,技

                                  术和设备指标达到国内一流、国际先进水平。

                                  采用创新的批量型(mini-batch)腔体设计,

iTomic MW                        可一次处理 25 片 12 英寸晶圆,适用于成膜镀

系列批量式                        率低,厚度要求高,以及产能要求高的关键工  产业化
原子层沉积                        艺及应用。产品利用特有的流场设计,具有成  应用
 镀膜系统                          膜速度快,占地面积小,产能高、使用成本低

                                  等优势,为存储芯片以及 Micro-OLED 显示

                                  器、MEMS 等提供定制化量产的解决方案。

                                  产品采用原创设计开发的自动化平台与模块

                                  化 ALD 反应腔相结合,可以按需配置 PEALD

 iTomic Lite                          或 Thermal ALD 等工艺需求。产品具有强大

系列轻型原                        的兼容性,其硬件配置在保持量产机型强大功  产业化
子层沉积镀                        能的前提下,可满足各类晶圆尺寸(6、8 英  应用
  膜系统                          寸)量产工艺需求,同时也可满足客户高端研

                                  发和新工艺试量产需求,可广泛应用于

                                  MEMS、光电器件等泛半导体器件领域。

                                  产品可根据不同温度要求制备氧化硅、氮化

 iTomic PE                          硅、氮氧化硅等薄膜制备工艺及应用,通过精

系列等离子                        准快速控制成膜速度、低反应温度、材料配比

体增强原子                        等技术,完美实现材料厚度均匀性、膜应力, 产业化
层沉积镀膜                        热过程,以及阶梯覆盖率等极具挑战的工艺需  验证
  系统                            求。可为逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提

                                  供客制化掩膜层、介质层、图案化等关键工艺

                                  解决方案。


 产品系列        产品图示                        产品说明                产业化
                                                                              阶段

                                  产品采用自主研发的反应腔室和电气软件集

  iTronix                          成化服务,在逻辑、存储、先进封装、显示器

系列化学气                        件等芯片制造领域具有广泛应用,可满足多种  产业化
相沉积镀膜                        功能性薄膜沉积工艺的开发和应用需求。搭载  验证
  系统                            新型平台可安装更多反应腔以满足高产能需

                                  求。

                                  公司独立研发的、适用于高产能半导体制程设

 Trancendor                          备的晶圆传输系统。该系统可根据客户工艺需  产业化
系列晶圆真                        要,灵活挂载一至多个工艺腔体(每个工艺腔  应用
空传输系统                        体可配备一至多个工作站)在真空环境下进行

                                  快速高效晶圆传输。

  注:1、随着公司产品种类的不断丰富,公司持续完善产品型号命名规则;2、产业化应用是指已实现销售,产业化验证是指已签署合同并正在履行,开发实现是指已形成研发样机,虽未与客户签署销售合同但已发往客户处进行试样验证,下同。

  iTomic 系列原子层沉积镀膜系统,适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料,可用于逻辑芯片、传统及新型存储芯片的电容介质层、高 k 栅介质覆盖层、掺杂介质层、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等多个应用领域。该系列部分产品已取得客户验收,实现产业化应用,并取得重复订单。

  iTomic MW 系列批量式原子层沉积镀膜系统,适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料,可用于逻辑芯片、传统和新型存储芯片电容介质层、掺杂介质层、新型显示器、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等应用领域。该系列部分产品已取得客户验收,实现产业化应用,并取得重复订单。

  iTomic PE 系列等离子体增强沉积镀膜系统,适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料;可用于 MEMS、逻辑、存储、CMOS 芯片的多重图案化和间隔层。该系列部分产品已发往客户处进行试样验证。

  iTronix 系列化学气相沉积镀膜系统,可应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件等镀膜领域。该系列部分产品在 2023 年 7 月首台设备出货后,目前已经取得客户批量重复订单。

  在半导体领域内,公司目前已经开发工艺包括 HKMG 技术、柱状电容器、金属化薄膜沉积技术及高深宽比 3D DRAM、TSV 技术等,覆盖 HfO₂、Al₂O3、ZrO₂、TiO₂、La₂O3、ZnO、SiO₂、HfSiO、HZO、HZLO、TiN、AlN、SiN、SiON、SiGe 等薄膜材料。


  2、光伏领域主要产品

产品系列      产品图示                        产品说明                    产业化
                                                                            阶段

                              采用微导原创的反应腔体设计和先进的薄膜沉积

                              技术及自动化集成技术,可为高效晶硅太阳能电池

  夸父                        表面钝化提供
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