公司代码：688147 公司简称：微导纳米
江苏微导纳米科技股份有限公司
2024 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2、 重大风险提示
公司已在 2024 年年度报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅 2024 年年度报告第三节 管
理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。
3、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4、 公司全体董事出席董事会会议。
5、 天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟向全体股东每10股派发现金红利0.44元（含税）。截至第二届董事会第二十二次会议通知日（2025年4月23日），公司总股本457,678,129股，以扣减回购专用证券账户中股份总数3,705,500股后的股本453,972,629股为基数，以此计算合计拟派发现金红利19,974,795.68元（含税）。如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。
上述事项已经董事会、监事会审议通过，尚需提交股东大会审议。
8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1、 公司简介
1.1 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
人民币普通股 上海证券交易所 微导纳米 688147 不适用
（A股） 科创板
1.2 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
1.3 联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 龙文 朱敏晓
联系地址 无锡市新吴区长江南路27号 无锡市新吴区长江南路27号
电话 0510-81975986 0510-81975986
传真 0510-81163648 0510-81163648
电子信箱 wen.long@leadmicro.com wen.long@leadmicro.com
2、 报告期公司主要业务简介
2.1 主要业务、主要产品或服务情况
2.1.1 主要业务情况
公司是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商，研发生产的高端薄膜沉积设备广泛应用于半导体晶圆、光伏电池片生产的关键环节，薄膜性能直接影响半导体器件性能以及电池片的光电转换效率。
2.1.2 主要产品
（1）公司半导体领域主要产品
产品系列 产品图示 简介 产业化
阶段
iTomic HiK 系列 半导体领域 ALD 设备，适用于高介 产业化
原子层沉积系统 电常数（High-k）栅氧层、MIM 电容 应用
器绝缘层等薄膜工艺需求
iTomic MeT 系列 半导体领域 ALD 设备，适用于栅极 产业化
原子层沉积系统 金属（Gate Metal）、MIM 金属电极、 应用
扩散阻挡层、CuBS 层等关键工艺
iTomic MW 系列 半导体领域 ALD 设备，每个工艺腔
批量式原子层沉 可一次处理 25 片 12 英寸晶圆，适用 产业化
积系统 于成膜镀率低，厚度要求高，以及产 应用
能要求高的关键工艺及应用
iTomic Lite 系列 半导体领域 ALD 设备，可满足 6、8
轻型原子层沉积 英寸晶圆制造量产工艺需求，同时也 产业化
系统 可满足客户高端研发和新工艺试量 应用
产需求
产品系列 产品图示 简介 产业化
阶段
iTomic PE 系列 半导体领域 PEALD 设备，可为逻辑
等离子体增强原 芯片、存储芯片、先进封装等提供客 产业化
子层沉积系统 制化掩膜层、介质层、隔离层、多级 应用
图案化等关键工艺解决方案
半导体领域 PECVD 设备，在高温工
iTronix MTP 系列 艺条件下沉积的薄膜具有高硬度和 产业化
等离子体增强化 高刻蚀比等特性，为逻辑和存储等领 应用
学气相沉积系统 域芯片制造的特殊工艺提供解决方
案
iTronix PE 系列 半导体领域 PECVD 设备，可沉积
等离子体增强化 SiO2、SiN、SiON、SiCN、(U)LK、 开发
学气相沉积系统 a-Si 等不同种类薄膜，涵盖的工艺温 实现
度从 200~700℃
iTronix LP 系列 半 导 体 领 域 LPCVD 设 备 可 满 足 产业化
低压化学气相沉 SiGe、p-Si、doped a-Si 等薄膜沉积工 验证
积系统 艺的开发和量产需求
iTronix LTP 系列 半导体领域 PECVD 设备，可为先进
低温等离子体增 封装制造领域提供薄膜沉积解决方 开发
强化学气相沉积 案，满足 SiO2、SiN、SiCN 等薄膜工 实现
系统 艺的应用需求
Trancendor 系列 公司独立研发的、适用于高产能半导 产业化
晶圆真空传输系 体制程设备的晶圆传输系统 应用
统
注：1、随着公司产品种类的不断丰富，公司持续完善产品型号命名规则；2、产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行，开发实现是指已形成研发样机，虽未与客户签署销售合同但已进行试样验证，下同。
（2）公司光伏领域主要产品
产品系列 产品图示 简介 产业化
阶段
夸父（KF）系列 光伏领域 ALD 设备，可用于 PERC、 产业化
批量式 ALD 系统 TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿等光伏 应用
电池技术路线
祝融（ZR）管式 光伏领域 PECVD、PEALD 设备，可
PECVD 系统 用于 PERC、XBC、TOPCon、HJT 产业化
PEALD/PECVD 等技术路线 应用
集成系统
羲和（XH）系列 光伏领域扩散/退火设备，兼容磷、硼 产业化
高温低压系统 两种扩散工艺，同时提供退火，氧化 应用
和 LPCVD 功能
后羿（HY）系列 光伏领域空间型 ALD 设备，适用于 产业化
板式 ALD 系统 正式或反式、单结或叠层的钙钛矿光 验证
