公司代码：688147 公司简称：微导纳米
江苏微导纳米科技股份有限公司
2024 年年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示
公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节 管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、公司负责人王磊、主管会计工作负责人俞潇莹及会计机构负责人（会计主管人员）俞潇莹声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟向全体股东每10股派发现金红利0.44元（含税）。截至第二届董事会第二十二次会议通知日（2025年4月23日），公司总股本457,678,129股，以扣减回购专用证券账户中股份总数3,705,500股后的股本453,972,629股为基数，以此计算合计拟派发现金红利19,974,795.68元（含税）。如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。
上述事项已经董事会、监事会审议通过，尚需提交股东大会审议。
八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十三、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义......5
第二节 公司简介和主要财务指标...... 7
第三节 管理层讨论与分析......12
第四节 公司治理......52
第五节 环境、社会责任和其他公司治理...... 76
第六节 重要事项......88
第七节 股份变动及股东情况...... 125
第八节 优先股相关情况......135
第九节 债券相关情况......135
第十节 财务报告......136
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
备查文件目录 人员）签名并盖章的财务报表。
载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
微导纳米、本公司、 指 江苏微导纳米科技股份有限公司
公司
万海盈投资 指 无锡万海盈投资合伙企业（有限合伙）
聚海盈管理 指 无锡聚海盈管理咨询合伙企业（有限合伙）
德厚盈投资 指 无锡德厚盈投资合伙企业（有限合伙）
先导智能 指 无锡先导智能装备股份有限公司（股票代码：
300450.SZ）
《公司章程》 指 《江苏微导纳米科技股份有限公司章程》
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》及其不时修订
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》及其不时修订
《上市规则》 指 《上海证券交易所科创板股票上市规则》及其不时
修订
中国证监会 指 中国证券监督管理委员会
上交所 指 上海证券交易所
报告期 指 2024 年 1 月 1 日-2024 年 12 月 31 日
报告期期末 指 2024 年 12 月末
元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元
ALD、原子层沉积 指 Atomic Layer Deposition，是一种可以将物质以单原
子层形式一层一层地镀在基底表面的工艺
TALD 指 Thermal Atomic Layer Deposition（热原子层沉积），
一种原子层沉积技术
PEALD 指 Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition（等离子体
增强原子层沉积），一种原子层沉积技术
Chemical Vapor Deposition（化学气相沉积法），利
CVD 指 用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反
应生成固态沉积物的过程
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（等离子
PECVD 指 体增强化学气相沉积），CVD 的一种，在沉积室利
用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积
的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法
LPCVD 指 Low Pressure Chemical Vapor Deposition（低压化学
气相沉积），CVD 的一种
Physical Vapor Deposition（物理气相沉积），利用物
PVD 指 理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基
材表面上的过程
晶硅太阳能电池 指 采用晶体硅作为半导体材料的太阳能光伏电池
柔性电子 指 Flexible Electronics，是一种技术的通称，是将有机/
无机材料电子器件制作在柔性/可延性基板上的新兴
电子技术
Micro Electro Mechanical System（微机电系统），是
集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能
MEMS 指 源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、
接口、通信等于一体的微型器件或系统，其内部结
构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系
统
晶圆 指 用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料
舟 指 由石英或金属连接而成承载晶圆的装置
LED 指 Light Emitting Diode（发光二极管），一种常用的发
光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光
Organic Light Emitting Diode，属于一种电流型的有
OLED 指 机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光
的现象，发光强度与注入的电流成正比
TOPCon 指 Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化物钝化接
触，一种电池结构
Heterojunction with Intrinsic Thin Layer（具有本征薄
HJT 指 层异质结），又称为 HJT/SHJ，一种异质结太阳能
电池
IBC 指 Interdigitated Back Contact（叉型背接触电池），一
种高效晶硅太阳能电池结构
XBC 指 IBC 以及 TBC（TOPCon 技术与 IBC 技术结合的 BC
类太阳能电池结构）等 BC 类太阳能电池
k、介电常数 指 希腊文 Kappa，描述一种材料保有电荷的能力
高 k、High-k 指 具有高 k 性质的材料可以比其他材料能够更好的存
储电荷
栅、栅极 指 Gate，用来打开或闭合晶体管，包括有多晶硅栅、
金属栅等
栅介质 指 Gate dielectric，是用来将栅从电流通道隔离出来的
绝缘体底层
Multiple Patterning，将一层图形光掩模拆成两层或
多重曝光 指 多层光掩模，分先后制作，实现精度更高的图形制
造
Field-effect Transistor，即场效应晶体管，包含源、
场效应晶体管 指 栅、漏极的晶体管。其行为由源极经过栅极流向漏
极的多数载流子电流决定。电流由栅极下的横向电
场控制
逻辑芯片 指 一种通用芯片，它的逻辑功能按照用户对器件编程
来确定
NAND 指 闪存，属于非易失性存储器
DRAM
