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688147 科创 微导纳米


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微导纳米:江苏微导纳米科技股份有限公司2025年半年度报告

公告日期:2025-08-29


公司代码:688147                                                  公司简称:微导纳米
      江苏微导纳米科技股份有限公司

          2025 年半年度报告


                          重要提示

一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示

    公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅第三节 管理层讨论与分析“四、风
险因素”部分内容。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人王磊、主管会计工作负责人俞潇莹及会计机构负责人(会计主管人员)俞潇莹声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

    本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性

十二、 其他
□适用 √不适用


                        目录


第一节  释义...... 4
第二节  公司简介和主要财务指标......5
第三节  管理层讨论与分析......9
第四节  公司治理、环境和社会......28
第五节  重要事项......30
第六节  股份变动及股东情况......52
第七节  债券相关情况......58
第八节  财务报告......59

                    载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人
    备查文件目录    员)签名并盖章的财务报表。

                    报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。


                        第一节  释义

在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
常用词语释义
微导纳米、本公  指  江苏微导纳米科技股份有限公司
司、公司

万海盈投资        指  西藏万海盈创业投资合伙企业(有限合伙),曾用名“无锡万海盈投
                        资合伙企业(有限合伙)”

聚海盈管理        指  无锡聚海盈管理咨询合伙企业(有限合伙)

德厚盈投资        指  无锡德厚盈投资合伙企业(有限合伙)

先导智能          指  无锡先导智能装备股份有限公司(股票代码:300450.SZ)

《公司章程》      指  《江苏微导纳米科技股份有限公司章程》

《公司法》        指  《中华人民共和国公司法》及其不时修订

《证券法》        指  《中华人民共和国证券法》及其不时修订

《上市规则》      指  《上海证券交易所科创板股票上市规则》及其不时修订

中国证监会        指  中国证券监督管理委员会

上交所            指  上海证券交易所

报告期            指  2025 年 1 月 1 日-2025 年 6 月 30 日

报告期期末        指  2025 年 6 月末

元、万元、亿元    指  人民币元、人民币万元、人民币亿元

ALD、原子层沉积  指  Atomic Layer Deposition,是一种可以将物质以单原子层形式一层一
                        层地镀在基底表面的工艺

TALD              指  Thermal Atomic Layer Deposition(热原子层沉积),一种原子层沉积
                        技术

PEALD            指  Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (等离子体增强原子层沉
                        积),一种原子层沉积技术

CVD              指  Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积法),利用气态或蒸汽态
                        的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程

                        Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(等离子体增强化学气相
PECVD            指  沉积),CVD 的一种,在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上
                        进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方
                        法

LPCVD            指  Low Pressure Chemical Vapor Deposition(低压化学气相沉积),CVD
                        的一种

PVD              指  Physical Vapor Deposition(物理气相沉积),利用物理过程实现物质
                        转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程

晶硅太阳能电池    指  采用晶体硅作为半导体材料的太阳能光伏电池

柔性电子          指  Flexible Electronics,是一种技术的通称,是将有机/无机材料电子器
                        件制作在柔性/可延性基板上的新兴电子技术

                        Micro Electro Mechanical System(微机电系统),是集微传感器、微
MEMS            指  执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能
                        电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统,其内部结构
                        一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统

晶圆              指  用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料

舟                指  由石英或金属连接而成承载晶圆的装置

LED              指  Light Emitting Diode(发光二极管),一种常用的发光器件,通过电
                        子与空穴复合释放能量发光

OLED              指  Organic Light Emitting Diode,属于一种电流型的有机发光器件,是通
                        过载流子的注入和复合而致发光的现象,发光强度与注入的电流成正


                        比

TOPCon            指  Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化物钝化接触,一种电池结
                        构

HJT                指  Heterojunction with Intrinsic Thin Layer(具有本征薄层异质结),又
                        称为 HJT/SHJ,一种异质结太阳能电池

IBC                指  Interdigitated Back Contact(叉型背接触电池),一种高效晶硅太阳能
                        电池结构

XBC              指  IBC 以及 TBC(TOPCon 技术与 IBC 技术结合的 BC 类太阳能电池结
                        构)等 BC 类太阳能电池

k、介电常数        指  希腊文 Kappa,描述一种材料保有电荷的能力

高 k、High-k        指  具有高 k 性质的材料可以比其他材料能够更好的存储电荷

栅、栅极          指  Gate,用来打开或闭合晶体管,包括有多晶硅栅、金属栅等

栅介质            指  Gate dielectric,是用来将栅从电流通道隔离出来的绝缘体底层

多重曝光          指  Multiple Patterning,将一层图形光掩模拆成两层或多层光掩模,分先
                        后制作,实现精度更高的图形制造

                        Field-effect Transistor,即场效应晶体管,包含源、栅、漏极的晶体管。
场效应晶体管      指  其行为由源极经过栅极流向漏极的多数载流子电流决定。电流由栅极
                        下的横向电场控制

逻辑芯片          指  一种通用芯片,它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定

NAND            指  闪存,属于非易失性存储器

DRAM            指  Dynamic Random Access Memory,动态随机存储器,采用动态存储单
                        元的随机存储器

                        又称“存储器”,是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备,其
存储芯片          指  存储与读取过程体现为电子的存储或释放,广泛应用于内存、U 盘、
                        消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域

SEMI              指  Semiconductor Equipment and Materials International,国际半导体装备
                        与材料产业协会

nm/纳米            指  长度的度量单位,国际单位制符号为 nm,1 纳米等于一百万分之一
                        毫米

KW、MW、GW    指  千瓦、兆瓦、吉瓦,1MW=1,000KW,1GW=1,000MW

              第二节  公司简介和主要财务指标

一、 公司基本情况

公司的中文名称                      江苏微导纳米科技股份有限公司

公司的中文简称                      微导纳米

公司的外文名称                      Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co., Ltd.

公司的外文名称缩写                  Leadmicro

公司的法定代表人                    王磊

公司注册地址                        无锡市新吴区长江南路27号

                                    由“无锡市新吴区漓江路11号(经营场所:无锡市新吴
公司注册地址的历史变更情况          区新硕路9-6号厂房)”变更为“无锡市新吴区长江南路