公司代码：688766 公司简称：普冉股份
普冉半导体（上海）股份有限公司
2025 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述经营过程中可能面临的风险及应对措施，有关内容详见第三节“管理层讨论与分析”，敬请投资者注意阅读。
3、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4、 公司全体董事出席董事会会议。
5、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司2025年度利润分配方案如下：
公司拟以2025年度实施权益分派方案的股权登记日登记的总股本为基数，向全体股东每10股分派现金红利1.2元（含税）。以公司截至2025年12月31日的总股本148,049,102股为基数测算，合计分派17,765,892.24元（含税）。
如在公司董事会决议通过之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动，公司将维持每股分派比例不变，相应调整拟转分派现金红利总额，并另行公告具体调整情况。
公司2025年度利润分配方案已经公司第二届董事会第二十七次会议审议通过，本次分配方案还须经股东会审议。
母公司存在未弥补亏损
□适用 √不适用
8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1、 公司简介
1.1 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 普冉股份 688766 不适用
科创板
1.2 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
1.3 联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 钱佳美 袁宜璇
联系地址 中国（上海）自由贸易试验区银冬路20 中国（上海）自由贸易试验区银冬路20弄8
弄8号楼5层 号楼5层
电话 021-60791797 021-60791797
传真 021-61347010 021-61347010
电子信箱 ir@puyasemi.com ir@puyasemi.com
2、 报告期公司主要业务简介
2.1 主要业务、主要产品或服务情况
公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，致力于提供高性能、高可靠性芯片产品及解决方案，公司聚焦于存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片两
大产品方向，目前主要产品包括：非易失性存储器芯片 NOR Flash、EEPROM 和 SLC NAND Flash
及其衍生产品 eMMC、MCP；微控制器芯片以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片及其衍生产品属于通用型芯片，可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。例如，根据存储需求的不同，公司的 NOR Flash 产品应用于低功耗蓝牙模块、TWS 蓝牙耳机、手机触控和指纹、TDDI（触屏）、AMOLED（有源矩阵有机发光二极体面板）、可穿戴设备、车载导航和安全芯片等领域。EEPROM 产品应用于摄像头模组（含手机、笔电和新能源车及传统汽车、3D）、智能仪表、工业控制、汽车电子、网络通信、家电等领域。SLCNAND Flash 及其衍生产品应用于可穿戴设备、通讯设备、安防监控、工业控制、汽车电子等领域。
微控制芯片（Micro Control Unit，简称 MCU）主要为基于 ARM Cortex-M 系列 32 位通用 MCU
产品，可广泛应用于智能家电、可穿戴设备、物联网、计算机网络、玩具、安防等消费类及各类工业控制、车载领域；模拟产品的第一个产品系列为音圈马达驱动芯片（Voice Coil Motor Driver，简称 VCM Driver），目前提供开环、闭环驱动以及光学防抖等芯片产品，主要应用于摄像头模组（含手机和非手机），公司基于存储、模拟及传感器技术的积累和延展，持续研发推出面向更高端
客户需求的音圈马达驱动芯片产品。
公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年，凭借其低功耗、高可靠性的产品优势，在下
游客户处积累了良好的品牌认可度，成为了国内 NOR Flash 和 EEPROM 的主要供应商之一。在
此基础上，公司实施“存储+”战略，积极拓展微控制器及模拟芯片领域，依托公司在存储领域的工艺、技术优势和平台资源，实现向更高附加值领域和更多元化的市场拓展。
2025 年下半年度，公司通过收购诺亚长天公司部分股权实现对 SkyHigh Memory Limited 的间
接控股，借力此次产业并购，公司不仅扩充了存储器芯片领域的产品线、充实了相关技术储备，更进一步增强了自身在存储器芯片领域的全球战略布局。与此同时，公司持续推进海外业务布局，实现了在日本、韩国、美国等多家的知名大客户导入，产品应用领域涵盖消费、工控、光伏及车载，增强了在全球市场的影响力。
主要产品或服务情况
1、 存储系列芯片
报告期内，公司实现存储系列芯片营业收入 17.87 亿元，同比上升 26.10%，毛利率 29.54%，
同比下降 5.07 个百分点，出货量 71.83 亿颗，同比上升 6.06%。
存储系列芯片应用领域如下图所示：
（1） NOR Flash 产品
NOR Flash 具备随机存储、读取速度快、芯片内执行（XIP）等特点。作为数据读取和存储的
重要器件，其主要功能是数据的存储和读取，同时实现开机启动等固定运行的程序。由于 NOR
Flash 不必把应用程序代码读到系统 RAM 中即可直接运行，使得 NOR Flash 在运行程序时优势更
显著，适用于开机响应时间、可靠性等要求较高的电子设备。基于 NOR Flash 上述应用特点及性价比优势，其被广泛应用于手机，电脑，可穿戴等消费类电子、汽车电子、安防、工控、基站、物联网设备等其他领域。
公司 NOR Flash 产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构，提供了 512Kbit
到 1Gbit 容量的系列产品，覆盖 1.1V-3.6V 的操作电压区间，具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的优异性能，公司 NOR Flash 产品应用领域集中在蓝牙、IOT、BLE、AMOLED、工业
控制等相关市场。目前公司 40nm SONOS 工艺制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列产品均已实
现量产，处于行业内领先技术水平。公司40nm 工艺节点已成为公司SONOS 工艺结构下 NOR Flash产品的主要工艺节点，能够进一步提高公司产品的成本优势，同时更好的满足下游应用的面积需
求。公司 SONOS 工艺的第三代 40E 平台 4Mbit~64Mbit 小容量系列已实现批量出货；128Mbit 容
量系列将于今年完成开发，该平台系列将继续助力公司保持行业领先的成本优势。
图：公司 NOR Flash 产品
此外，公司也并行采用浮栅（ETOX）工艺结构，提供以中大容量为主、中小容量为辅的系
列产品，目前 55nm 及 50nm 制程实现了 4Mbit~1Gbit 全容量系列产品量产出货。报告期内，公司
4Xnm 16Mbit~64Mbit 产品均已量产出货，应用于 IPC、CAT1（LTE UE‑Category 1，智能网联终
端）等领域。同时，公司 ETOX 工艺平台 1.65V~3.6V 宽压系列已完成部分容量产品的量产；256Mbit~1Gbit 大容量产品已交付了部分工控、通讯、PC、服务器等客户。未来将继续通过工艺研发和设计创新实现产品完备化，实现公司在大容量市场的快速导入，持续提升公司在 NOR Flash领域的市场占有率。
公司中小容量 SONOS NOR Flash 车载产品已陆续完成 AEC-Q100 认证，主要应用于部分品
牌车型的前装车载导航、中控娱乐等。同时，公司全容量ETOX NOR Flash 系列产品通过AEC-Q100车规认证，为公司在汽车电子领域的进一步发展奠定了坚实的基础，打开了更加广阔的市场空间。
公司推出的超低电压超低功耗新一代 SPI NOR Flash 系列新产品，支持 1.1V 电源系统，同时
具备宽电压范围，可涵盖 1.2V 和 1.8V 系统，该产品系列计划覆盖 4Mbit-128Mbit 的容量区间，
应用于基于嵌入式 SoC、手持移动应用、多媒体信息处理等场景中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。同时，在 NOR Flash 多款产品封装可靠性上进一步优化，可为客户提供更高可靠性的产品品类。
（2） EEPROM 产品
EEPROM 是一类通用型的非易失性存储器芯片，在断电情况下仍能保留所存储的数据信息，
可以在计算机或专用设备上擦除已有信息重新编程，可擦写次数至少 100 万次，数据保存时间超
过 100 年。该类产品相较于 NOR Flash 的容量更小、擦写次数高，因此适用于各类电子设备的小
容量数据存储和反复擦写的需求，广泛应用于智能手机摄像头、工业控制、汽车电子、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电等领域。
公司已形成覆盖 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 产品系列，操作电压覆盖 1.2V-5.5V，主要
采用 130nm 工艺制程，具有高可靠性、体积小、性价比高等优势，同时实现了分区域保护、地址编程等功能，可对芯片中存储的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改，可擦写次数可达到 400万次，数据保持时间可达 200 年。公司部分中大容量产品采用 55nm 工艺制程并已实现量产，公
司 EEPROM 产品 P24C/P25C 系列满足 1000 万次擦写寿命，100 年数据保存的高可靠性要求。
