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688766 科创 普冉股份


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普冉股份:普冉半导体(上海)股份有限公司2025年年度报告

公告日期:2026-03-21


公司代码:688766                                                  公司简称:普冉股份
    普冉半导体(上海)股份有限公司

            2025 年年度报告


                          重要提示

一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示

    公司已在本报告中详细阐述经营过程中可能面临的风险及应对措施,有关内容详见第三节“管理层讨论与分析”,敬请投资者注意阅读。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、立信会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、公司负责人王楠、主管会计工作负责人钱佳美及会计机构负责人(会计主管人员)沈奕声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

    公司2025年度利润分配方案如下:

    公司拟以2025年度实施权益分派方案的股权登记日登记的总股本为基数,向全体股东每10股分派现金红利1.2元(含税)。以公司截至2025年12月31日的总股本148,049,102股为基数测算,合计分派17,765,892.24元(含税)。

    如在公司董事会决议通过之日起至实施权益分派股权登记日期间,公司总股本发生变动,公司将维持每股分派比例不变,相应调整拟转分派现金红利总额,并另行公告具体调整情况。

    公司2025年度利润分配方案已经公司第二届董事会第二十七次会议审议通过,本次分配方案还须经股东会审议。
母公司存在未弥补亏损
□适用 √不适用
八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用


    本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。
十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况

十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性

十三、 其他
□适用 √不适用


                            目录


第一节      释义...... 5

第二节      公司简介和主要财务指标......9

第三节      管理层讨论与分析......15

第四节      公司治理、环境和社会......61

第五节      重要事项......97

第六节      股份变动及股东情况......126

第七节      债券相关情况......134

第八节      财务报告......135

            载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表

 备查文件目录 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告文本

            报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告原稿

            经公司负责人签名的公司2025年年度报告文本原件


                        第一节  释义

一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
常用词语释义
公司、本公司、普冉半  指  普冉半导体(上海)股份有限公司
导体、普冉股份

报告期、本报告期、本  指  2025 年 1 月 1 日至 2025 年 12 月 31 日



报告期末              指  2025 年 12 月 31 日

上年、上年同期        指  2024 年 1 月 1 日至 2024 年 12 月 31 日

《公司章程》          指  普冉半导体(上海)股份有限公司章程

SHM                  指  SkyHigh Memory Limited,中国香港注册,珠海诺亚长天存储技术
                          有限公司全资子公司

诺亚长天/标的公司      指  珠海诺亚长天存储技术有限公司

赛普拉斯、Cypress      指  Cypress Semiconductor Corporation,即赛普拉斯半导体公司

英飞凌                指  Infineon Technologies .Ltd.,德国 IC 设计制造商

NEC                  指  日本电气股份有限公司(Nippon Electric Company, Limited)

华邦                  指  华邦电子股份有限公司

旺宏                  指  旺宏电子股份有限公司

美光                  指  Micron Technology ,Inc,美光科技有限公司

安森美                指  ON Semiconductor,安森美半导体

意法半导体            指  ST Microelectronics N.V.

兆易创新              指  兆易创新科技集团股份有限公司

聚辰股份              指  聚辰半导体股份有限公司

华力                  指  上海华力微电子有限公司、上海华力集成电路制造有限公司

中芯国际              指  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司及其合并范围内控股子公
                          司

盛合晶微              指  盛合晶微半导体有限公司(SJ Semiconductor Corporation)

伟测科技              指  上海伟测半导体科技股份有限公司及其合并范围内控股子公司

华天科技              指  天水华天科技股份有限公司及其合并范围内控股子公司

华大九天              指  北京华大九天科技股份有限公司

紫光宏茂              指  紫光宏茂微电子(上海)有限公司

通富微电              指  通富微电子股份有限公司及其下属控股子公司合肥通富微电子有
                          限公司和南通通富微电子有限公司

三星                  指  三星电子集团

松下                  指  Panasonic Corporation Global Procurement Company

5G                    指  5th-Generation,即第五代移动通信标准

6G                    指  6th-Generation,即第六代移动通信标准

A/D                  指  模拟数字转换器,一个将模拟信号转变为数字信号的电子器件

                          Active-matrix Organic Light-emitting Diode,有源矩阵有机发光二极
AMOLED              指  体,一种显示屏技术。其中 OLED(有机发光二极体)是描述薄膜
                          显示技术的具体类型:有机电激发光显示;AM(有源矩阵体或称
                          主动式矩阵体)是指背后的像素寻址技术

ARM                  指  Advanced RISC Machine 的英文缩写,是英国 Acorn 有限公司设计
                          的低功耗成本的第一款 RISC 微处理器。


ARM-CortexM0/M0+/M      爱特梅尔公司(Atmel Corporation)发布的 ARM Cortex-M 处理器
4                    指  系列是一系列可向上兼容的高能效、易于使用的处理器,这些处理
                          器旨在帮助开发人员满足将来的嵌入式应用的需要。

                          Bluetooth Low Energy 的英文缩写,蓝牙低能耗技术,是短距离、
BLE                  指  低成本、可互操作性的无线技术,利用许多智能手段最大限度地降
                          低功耗

BOR                  指  Brown-out reset,欠压复位。当电源电压降至 BOR 阈值以下时,熄
                          灭复位(BOR)发生器使系统处于复位状态。

CAT1                指  LTE UE-Category 1(UE 是指 User Equipment),是对于 LTE 网络
                          下用户终端设备的无线性能的一种分类,主要针对物联网应用

CPU                  指  中央处理器(Central Processing Unit),是一种超大规模集成电路,
                          是电子产品的运算核心和控制核心。

DRAM                指  Dynamic Random Access Memory 的缩写,中文名称为动态随机存
                          取存储器,是一种半导体存储器

ECC                  指  Error Checking and Correcting,即错误检查和纠正技术

EEPROM              指  Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,即电可擦除
                          可编程只读存储器

                          Electro-Static discharge 的简称,即静电释放,具有不同静电电势(电
ESD                  指  位差)的物体或表面之间的静电电荷转移,ESD 能力越强芯片承受
                          静电受损概率越低

ETOX                指  由多晶硅栅组成,利用浮栅用来存储电荷的一种存储单元结构

Fabless                指  Fabrication-Less,无晶圆厂集成电路设计公司经营模式

Fan-out                指  扇出型封装工艺

FN 隧穿              指  Fowler-Nordheim tunneling,福勒-诺德海姆隧穿,量子隧穿效应中
                          的一种情况