公司代码：688693 公司简称：锴威特
苏州锴威特半导体股份有限公司
2023 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2 重大风险提示
报告期内，不存在对公司经营产生实质性影响的特别重大风险，公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，并提请投资者特别关注如下风险。
业绩大幅下滑的风险：报告期内，公司实现营业总收入21,374.33万元，较上年同期下降9.19%；实现归属于母公司所有者的净利润为 1779.50 万元，较上年同期下降 70.89%。2023 年度受宏观经济环境、行业周期等因素影响，功率半导体市场整体表现低迷，终端市场需求不及预期，产品销售价格承压，同时研发费用等经营性费用同比提升，导致全年业绩大幅下滑。若未来功率半导体行业景气度持续下滑导致市场需求出现重大不利变化，下游客户抗周期波动能力不足或出现经营风险，将会对公司营收规模及毛利率产生不利影响。公司经营业绩受功率半导体行业景气度影响较大，存在周期性波动的风险。
3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4 公司全体董事出席董事会会议。
5 北京大华国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。6 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司2023年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润，利润分配预案如下：公司拟向全体股东每10股派发现金红利1.7元（含税）。截至2023年12月31日，公司总股本73,684,211股，以此计算合计拟派发现金红利12,526,315.87元（含税）。
在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动的，拟维持每股分配比例不变，相应调
整分配总额，并将另行公告具体调整情况。
公司2023年度利润分配预案已经公司第二届董事会第十二次会议及第二届监事会第七次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。
8 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 锴威特 688693 不适用
科创板
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 严泓 王勇
办公地址 张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科 张家港市杨舍镇华昌路10
创园B2幢01室 号沙洲湖科创园B2幢01室
电话 0512-58979950 0512-58979950
电子信箱 zhengq@convertsemi.com zhengq@convertsemi.com
2 报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可实现电源开关和电能转换的功能，实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，始终围绕功率半导体产品不断进行业务开拓和持续创新，主要产品包含功率器件及功率 IC 两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面 MOSFET 为主，并在平面 MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集
成快恢复高压功率 MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率 IC 方面，公司产品主要包括 PWM 控
制 IC 和栅极驱动 IC。此外，在第三代半导体方面，公司的 SiC 功率器件已顺利实现产品布局并
进入产业化阶段。主要产品如下：
1. 功率器件方面
公司功率器件产品以 MOSFET 为主，公司是国内为数不多的具备 650V-1700V SiC MOSFET
设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。功率器件产品如下：
产品种类 封装后成品示意 产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
图
具有功率密度高、产品击 公司产品广泛用于
穿耐压稳定性高、阈值电 电压范围：40V-1500V LED 照明、电源适
平面 MOSFET 压一致性好、高温漏电小、电流范围：0.3A-190A 配器、智能家电、
开关损耗小、抗浪涌能力 PC 电源、逆变器、
强等性能特点 智能电表等
集成快恢复高 采用重金属掺杂工艺制 关键动态指标反向恢复电荷 公司产品主要应用
压功率 造，具有低反向恢复电荷、Qrr＜0.2uC 反向恢复时间 Trr 于直流无刷电机驱
MOSFET 反向恢复时间短和低高温 ＜ 100ns 电 压 范 围 ： 动、LLC 架构的大
（FRMOS） 漏电流的特性 300V-700V 电 流 范 围 ： 功率电源、高功率
2A-94A 数字音频功放等
沟槽型 具有工作频率高、导通损 电压范围：30V-150V 电流范 可广泛用于电动工
MOSFET 耗小、开关损耗低、芯片 围：4A-300A 具、智能家电主板
体积小等特点 等
公司超结 MOSFET 采用 可广泛用于新能源
超结 MOSFET 多次外延工艺，具有工作 电压范围：600V-800V 电流范 汽车充电桩、服务
频率高、导通损耗小、开 围：4A-80A 器电源、通讯电源
关损耗低等特点
导通电阻小，开关损耗低， 可广泛用于新能源
SiC MOSFET 工作温度范围宽，阈值电 电压范围：650V-1700V 电流 汽车及配套、工业
压一致性好 范围：3A-200A 照明、大功率电源、
高可靠领域等
反向恢复时间短，反向恢 可广泛用于新能源
SiC SBD 复电荷小，工作温度范围 电压范围：650V-1200V 电流 汽车及配套、大功
宽 范围：2A-60A 率电源、逆变器、
高可靠领域等
2. 功率 IC 方面
公司功率 IC 产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC，相关产品如下：
产品 封装后成品 产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
种类 示意图
产品 封装后成品 产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
种类 示意图
产品主要为隔离式开关电源芯片，用于将输
入电压的振幅转换成宽度一定的脉冲，使电
源的输出电压在工作条件变化时保持恒定。 工作电压范围： 可广泛用于安
PWM 控制 IC 产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳 13V-120V 防、工业电源
位、推挽、半桥、全桥、移相全桥等多拓扑 开 关 频 率 支 持 等
配置，帮助客户灵活创建各种电源设计；同 1MHz 以上
时集成了欠压、过压、过流、过热等多种保
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