公司代码：688693 公司简称：锴威特
苏州锴威特半导体股份有限公司
2024 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司经营产生实质性影响的特别重大风险，公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分。
3、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4、 公司全体董事出席董事会会议。
5、 北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
经北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2024年度实现归属于母公司所有者的净利润为人民币-97,189,285.81元，截至2024年12月31日，母公司期末未分配利润为人民币-14,326,215.92元。
根据《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》以及《公司章程》等相关规定，鉴于公司归属于母公司所有者的净利润为负数，综合考虑公司生产经营及未来资金投入的需求，为保障公司持续稳定经营，稳步推动后续发展，更好维护全体股东的长远利益，因此公司2024年度不进行利润分配，不派发现金红利，不送红股，不以资本公积金转增股本。
上述利润分配预案已经公司第二届董事会第十九次会议及第二届监事会第十四次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。
8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1、 公司简介
1.1 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 锴威特 688693 不适用
1.2 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
1.3 联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 严泓 王勇
联系地址 张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园 张家港市杨舍镇华昌路10号沙
B2幢01室 洲湖科创园B2幢01室
电话 0512-58979950 0512-58979950
传真 / /
电子信箱 zhengq@convertsemi.com zhengq@convertsemi.com
2、 报告期公司主要业务简介
2.1 主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率 IC 的设计、研发能力。公司主要产品包含功率器件及功率 IC 两大类，同时也为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务。主要产品或服务情况如下：
1. 功率器件方面
在功率器件方面，公司产品布局平面 MOSFET、集成快恢复高压功率 MOSFET（FRMOS）、
中低压沟槽型 MOSFET、超结 MOSFET 和 SiC MOSFET 产品。平面 MOSFET 产品已实现产品系
列化，覆盖 40~1500V 电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率 MOSFET 产品系列；在平面MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压 MOSFET（FRMOS）系列产品，产品采用重金属掺杂工艺，具有优异的反向恢复特性，可为客户降低系统功耗，解决系统电磁干扰问题；中低压沟槽型 MOSFET 在已有产品基础上，针对 BMS、电机驱动等应用场景开发了抗短路能力
大的 80V、100V 沟槽屏蔽栅 MOSFET；超结 MOSFET 采用多次外延的技术路线，已完成第 2 代
和第 3 代超结技术平台的研发，形成 600V~850V 电压段产品系列化；SiC MOSFET 产品是公司功
率器件方向布局未来的重要产品线，公司与晶圆工厂密切合作，优化产品设计和工艺流程，提升
产品竞争力，已从公司第2代SiC MOS提升到第3代SiC MOS技术平台，将1200V SiC MOS Ronsp
降低至 3.0mR cm2以下，同时研发了集成 SBD 的 SiC MOSFET，解决 SiC MOSFET 寄生二极管
的缺陷问题，适用于 OBC 等应用场合，研发集成 ESD 保护的 SiC MOSFET，已满足要求严苛的
应用环境。
功率器件产品及应用方向如下：
产品种类 封装后成品 产品特点 覆盖参数段 主要应用方向
示意图
具有功率密度高、产品击穿耐 公 司 产 品 广 泛 用 于
压稳定性高、阈值电压一致性 电压范围：40V-1500V LED 照明、电源适配
平面 MOSFET 好、高温漏电小、开关损耗小、电流范围：0.3A-190A 器、智能家电、PC 电
抗浪涌能力强等性能特点 源、逆变器、智能电表
等
采用重金属掺杂工艺制造，具 关键动态指标反向恢复电荷 Qrr＜ 公司产品主要应用于
集成快恢复高压 有低反向恢复电荷、反向恢复 0.2uC 反向恢复时间 Trr＜100ns 直流无刷电机驱动、
功率 MOSFET 时间短和低高温漏电流的特 电压范围：300V-700V LLC 架构的大功率电
（FRMOS） 性 电流范围：2A-94A 源、高功率数字音频功
放等
具有工作频率高、导通损耗 电压范围：30V-150V 可广泛用于电动工具、
沟槽型 MOSFET 小、开关损耗低、芯片体积小 电流范围：4A-300A BMS、智能家电主板等
等特点
公司超结 MOSFET 采用多次 可广泛用于新能源汽
超结 MOSFET 外延工艺，具有工作频率高、 电压范围：600V-850V 车充电桩、服务器电
导通损耗小、开关损耗低等特 电流范围：4A-80A 源、通讯电源
点
导通电阻小，开关损耗低，工 可广泛用于新能源汽
SiC MOSFET 作温度范围宽，阈值电压一致 电压范围：650V-3300V 车及配套、工业照明、
性好，可靠性高 电流范围：3A-200A 大功率电源、高可靠领
域等
可广泛用于新能源汽
SiC SBD 反向恢复时间短，反向恢复电 电压范围：650V-1200V 车及配套、大功率电
荷小，工作温度范围宽 电流范围：2A-60A 源、逆变器、高可靠领
域等
2. 功率 IC 方面
公司功率 IC 产品主要包括 PWM 控制 IC 和栅极驱动 IC，公司的 PWM 控制 IC 主要包括隔离
和非隔离 DC-DC、PFC 控制器、理想二极管控制器、浪涌抑制控制器、高频栅极驱动器、高边电
流采样放大器等产品。隔离和非隔离 DC-DC 产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳位
