公司代码：688693 公司简称：锴威特
苏州锴威特半导体股份有限公司
2024 年年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示
报告期内，不存在对公司经营产生实质性影响的特别重大风险，公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。六、公司负责人罗寅、主管会计工作负责人刘娟娟及会计机构负责人（会计主管人员）刘娟娟声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
经北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2024年度实现归属于母公司所有者的净利润为人民币-97,189,285.81元，截至2024年12月31日，母公司期末未分配利润为人民币-14,326,215.92元。
根据《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》以及《公司章程》等相关规定，鉴于公司归属于母公司所有者的净利润为负数，综合考虑公司生产经营及未来资金投入的需求，为保障公司持续稳定经营，稳步推动后续发展，更好维护全体股东的长远利益，因此公司2024年度不进行利润分配，不派发现金红利，不送红股，不以资本公积金转增股本。
上述利润分配预案已经公司第二届董事会第十九次会议及第二届监事会第十四次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。
八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告涉及未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者关注投资风险。
十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十三、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义...... 5
第二节 公司简介和主要财务指标......7
第三节 管理层讨论与分析......12
第四节 公司治理......47
第五节 环境、社会责任和其他公司治理......64
第六节 重要事项......72
第七节 股份变动及股东情况......118
第八节 优先股相关情况......126
第九节 债券相关情况......126
第十节 财务报告......127
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的
财务报表。
备查文件目录 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
锴威特、公司、本 指 苏州锴威特半导体股份有限公司
公司
港晨芯 指 苏州港晨芯企业管理合伙企业（有限合伙）
大唐汇金 指 大唐汇金（苏州）产业投资基金合伙企业（有限合伙）
港鹰实业 指 张家港市港鹰实业有限公司
金茂创投 指 张家港市金茂创业投资有限公司
甘化科工 指 广东甘化科工股份有限公司，深圳证券交易所上市公司，股票代码
000576
国经众明 指 无锡国经众明投资企业（有限合伙）
招港共赢 指 张家港市招港共赢企业管理合伙企业（有限合伙）
新工邦盛 指 江苏疌泉新工邦盛创业投资基金合伙企业（有限合伙）
邦盛聚泓 指 徐州邦盛聚泓股权投资合伙企业（有限合伙）
邦盛聚源 指 南京邦盛聚源创业投资合伙企业（有限合伙）
禾望投资 指 深圳市禾望投资有限公司，系深圳市禾望电气股份有限公司（上海证
券交易所上市公司，股票代码 603063）全资子公司
悦丰金创 指 张家港市悦丰金创投资有限公司
华泰创新 指 华泰创新投资有限公司
创芯投资 指 苏州创芯投资有限公司，公司全资子公司
西安锴威 指 西安锴威半导体有限公司，公司全资子公司
陆巡科技 指 深圳陆巡科技有限公司，公司参股子公司
众享科技 指 无锡众享科技有限公司，公司控股子公司
报告期、本报告期 指 2024 年 01 月 01 日至 2024 年 12 月 31 日
上年同期、2023 指 2023 年 01 月 01 日至 2023 年 12 月 31 日
年同期
报告期初 指 2024 年 01 月 01 日
报告期末 指 2024 年 12 月 31 日
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有
半导体 指 硅、锗、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，在商
业应用上最具有影响力的一种
一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把一个电路
IC、集成电路、芯 指 中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，制作
片 在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳
内，成为具有所需电路功能的微型结构
半导体分立器件。与集成电路相对的，采用特殊的半导体制备工艺，
分立器件、半导体 指 实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成电路中实
分立器件 现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主要包括功率
二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等
功率器件、半导体 又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控制，
功率器件 指 是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行间的桥梁。
半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分
二极管 指 全称为半导体二极管，是一种具有正向导通、反向截止功能特性的半
导体分立器件
三极管 指 全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等
MOSFET 、 功 率 指 MOS 管，是金属（Metal）—氧化物（Oxid）—半导体（Semiconductor）
MOSFET 或 MOS 场效应晶体管，属于电压控制型器件
平面 MOSFET 指 以平面工艺为技术路线的 MOSFET 产品
Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅，该技术是在顶层硅和背衬底之间
引入了一层埋氧化层，SOI 材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以
SOI 指 实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅 CMOS 电路中
的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路具有寄生电容小、集
成密度高、速度快、漏电小等优势
BCD 工艺 指 一种结合了 BJT、CMOS 和 DMOS 的单片 IC 制造工艺
沟槽型 MOSFET 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损
耗等特点
基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n 柱相互
超结 MOSFET 指 耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率高、导通
损耗小、开关损耗低、芯片面积小等特点
IP 指 Intellectual Property 的缩写，即知识产权
IP 核 指 知识产权模块，在芯片设计中指可重复使用的具有成熟设计的功能模
块
FRMOS、集成快 在平面 MOSFET 中集成快恢复功率二极管的一种功率器件，可大幅
恢 复 高 压 功 率 指 改善器件的反向恢复时间、反向恢复电荷等参数特性，属于平面
MOSFET MOSFET 的一种细分产品
Pulse Width Modulation，脉宽调制，是一种模拟控制方式，根据相应
PWM 指 载荷的变化来调制晶体管基极或 MOS 管栅极的偏置，来实现晶体管
或 MOS 管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变
AC-DC 指 将交流电转换成直流电的一种技术和方法
谐振电路（Resonant Converters），由开关网络（全桥或半桥）、电
LLC 指 感（以字母 L 表示）、电容（以字母 C 表示）等元器件构成，LLC
由于实现了软开关，有效降低了开关损耗，提高了电源效率，适用于
高频、高功率密度设计
DC-DC 指 直流变换器，可将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压
指 Graphic Data System 格式的文件，半导体芯片设计中一般指用于
