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688409 科创 富创精密


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富创精密:2024年年度报告

公告日期:2025-04-30


公司代码:688409                                          公司简称:富创精密
      沈阳富创精密设备股份有限公司

            2024 年年度报告


                          重要提示

一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示

    报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、立信会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、公司负责人郑广文、主管会计工作负责人崔静及会计机构负责人(会计主管人员)栾玉峰声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

    公司拟以权益分派股权登记日登记的总股本扣除公司回购专用账户中的股份数量为基数分配利润,本次利润分配预案如下:

    公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币1.50元(含税)。截至公告日,公司总股本为306,210,771股,扣减回购专用账户的股数1,666,183股,以此计算合计拟派发现金红利45,681,688.20元(含税)。

    上述利润分配预案已经公司第二届董事会第十八次会议、第二届监事会第十五次会议审议通过,本次利润分配方案尚需经公司2024年年度股东大会审议通过后实施。
八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

    本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。
十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况

十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性

十三、 其他
□适用 √不适用


                            目录


第一节      释义...... 5

第二节      公司简介和主要财务指标......8

第三节      管理层讨论与分析......14

第四节      公司治理......46

第五节      环境、社会责任和其他公司治理......70

第六节      重要事项......83

第七节      股份变动及股东情况......125

第八节      优先股相关情况......135

第九节      债券相关情况......136

第十节      财务报告......137

                    载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人
                    员)签名并盖章的财务报表

    备查文件目录    载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件

                    报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿


                        第一节 释义

一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
常用词语释义

公司、本公司、富    指    沈阳富创精密设备股份有限公司

创精密、沈阳富创

富创有限              指    沈阳富创精密设备有限公司,为公司前身

沈阳先进              指    沈阳先进制造技术产业有限公司,曾用名“沈阳先进制造技
                            术产业发展有限责任公司”,为公司第一大股东

辽宁科发              指    辽宁科发实业有限公司,曾用名“辽宁科发实业公司”,为
                            公司股东

                            泰州祥浦创业投资基金合伙企业(有限合伙),报告期内曾
泰州祥浦              指    用名“宁波祥浦创业投资合伙企业(有限合伙)”,为公司
                            股东

上海国投              指    国投(上海)科技成果转化创业投资基金企业(有限合伙),
                            为公司股东

宁波芯富              指    宁波芯富投资管理合伙企业(有限合伙),为公司股东,公
                            司员工持股平台之一

宁波芯芯              指    宁波芯芯投资管理合伙企业(有限合伙),为公司股东,公
                            司员工持股平台之一

宁波良芯              指    宁波良芯投资管理合伙企业(有限合伙),为公司股东,公
                            司员工持股平台之一

辽宁中德              指    辽宁中德产业股权投资基金合伙企业(有限合伙),为公司
                            股东

中证投资              指    中信证券投资有限公司,为公司股东

                            长峡金石(武汉)股权投资基金合伙企业(有限合伙),曾
长峡金石              指    用名“三峡金石(武汉)股权投资基金合伙企业(有限合伙)”,
                            为公司股东

交控金石              指    安徽交控金石并购基金合伙企业(有限合伙),为公司股东

南通富创              指    南通富创精密制造有限公司,为公司全资子公司

北京富创              指    北京富创精密半导体有限公司,为公司全资子公司

沈阳融创              指    沈阳融创精密制造有限公司,为公司全资子公司

沈阳强航              指    沈阳强航时代精密科技有限公司,为公司控股子公司

瑞特热表              指    沈阳瑞特热表动力科技有限公司,为公司控股子公司

新加坡富创            指    SMARTT PRECISION MFG PTE. LTD,为公司全资子公司

                            拓荆科技股份有限公司,曾用名“沈阳拓荆科技有限公司”,
拓荆科技              指    上交所科创板上市公司,证券代码:688072.SH,国内半导体
                            领域薄膜沉积设备龙头企业之一,为公司客户,同时为公司
                            关联方

                            沈阳芯源微电子设备股份有限公司,曾用名“沈阳芯源微电
芯源微                指    子设备有限公司”,上交所科创板上市公司,证券代码
                            688037.SH,国内半导体领域涂胶显影设备龙头企业之一,为
                            公司客户,同时为公司关联方

                            常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体器件
半导体                指    根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)定义可分为集成电路
                            (IC)、分立器件、光电子和传感器,广泛应用于下游通信、


                            计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空航天等产业

IC、集成电路          指    Integrated Circuit,指通过一系列特定的加工工艺,将晶
                            体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等

芯片                  指    集成电路载体,是集成电路经设计、制造、封装、测试后的
                            结果

                            集成电路芯片制造的前道工序,是把衬底材料(目前集成电
前道                  指    路主要是硅衬底)加工成包含成千上万个芯片的工艺过程,
                            指的是从制造器件结构到进行金属互联,一直到最后的表面
                            钝化的过程

晶圆                  指    在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛
                            光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片

                            利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形
光刻                  指    传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形
                            的工艺技术

                            用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的
刻蚀(ETCH)          指    过程,是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺,是半
                            导体制造工艺的关键步骤

                            半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜
                            可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧
薄膜沉积              指    化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的
                            前段工序 FEOL(制作晶体管等部件)和后段布线工序 BEOL
                            (将在 FEOL 制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路)
                            均有多处应

化 学 气 相 沉 积            Chemical Vapor Deposition,把一种或几种含有构成薄膜元
(CVD)              指    素的化合物放置在有基材的反应室,在气态条件下发生化学
                            反应,在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术

等离子体增强化学            Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,是 CVD 的一
气相沉积(PECVD)    指    种,在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反
                            应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法

原子层沉积(ALD)    指    Atomic layer deposition,原