证券代码：688012 证券简称：中微公司
中微半导体设备（上海）股份有限公司
2025 年第一季度报告
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述
或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。
重要内容提示
中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“公司”）在过去 14 年保持营业收入年均增长大于 35%的基础上，2025 年第一季度营业收入继续保持高速增长，同比增长 35.40%，达到 21.73亿元。
公司站在先进制程工艺发展的最前沿，坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基本原则。坚持原创的设计，和国际领先的半导体客户公司同步前行。公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。公司为先进存储器件和逻辑器件开发的六种薄膜设备已经顺利进入市场，公司开发的薄膜设备性能达到国际领先水平，并同步推进多款金属薄膜气相设备、新一代等离子体源的 PECVD 设备的开发，增加薄膜设备的覆盖率。公司 EPI 设备顺利进入客户端量产验证阶段，已完成多家先进逻辑器件与 MTM 器件（包括 MEMS 和传感器、CIS、功率以及射频器件的超越摩尔器件）客户的工艺验证，并且结果获得客户高度认可。在泛半导体设备领域，公司正在开发更多化合物半导体外延设备，陆续付运至客户端开展生产验证。
根据市场及客户需求，公司显著加大研发力度，目前公司在研项目涵盖六大类，超过二十款新设备的开发。公司研发新产品的速度显著加快，过去通常需要三到五年开发一款新设备，现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备，并顺利进入市场，公司有望在未来几年更大规模地推出新产品。本期公司研发投入约 6.87 亿元，较上年同期增加3.26 亿元，同比增长约90.53%，研发投入占公司营业收入比例约为 31.60%，远高于科创板上市公司的平均研发投入水平（10%~15%）。
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证季度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人（会计主管人员）保证季度报告中财务信息的真实、准确、完整。
第一季度财务报表是否经审计
□是 √否
一、主要财务数据
(一) 主要会计数据和财务指标
单位：元 币种：人民币
本报告期比上
项目 本报告期 上年同期 年同期增减变
动幅度(%)
营业收入 2,173,278,385.62 1,605,024,097.68 35.40
归属于上市公司股东的净利润 313,082,457.72 249,135,780.57 25.67
归属于上市公司股东的扣除非
经常性损益的净利润 298,301,989.05 262,948,771.07 13.44
经营活动产生的现金流量净额 376,808,177.47 -586,440,411.60 不适用
基本每股收益（元/股） 0.50 0.40 25.00
稀释每股收益（元/股） 0.50 0.40 25.00
加权平均净资产收益率（%） 1.57 1.38 增加0.19个百
分点
研发投入合计 686,819,262.82 360,477,130.31 90.53
研发投入占营业收入的比例 增加9.14个百
（%） 31.60 22.46 分点
本报告期末比
本报告期末 上年度末 上年度末增减
变动幅度(%)
总资产 27,118,584,850.11 26,217,544,719.07 3.44
归属于上市公司股东的所有者
权益 20,144,123,516.91 19,736,912,284.36 2.06
公司本期营业收入为 21.73 亿元，同比增长 35.40%。公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续
获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。公司为先进存储器件和逻辑器件开发的六种薄膜设备已经顺利进入市场，设备性能达到国际领先水平，并同步推进多款金属薄膜气相设备、新一代等离子体源的 PECVD 设备的开发，增加薄膜设备的覆盖率。公司 EPI 设备已顺利进入客户端量产验证阶段，已完成多家先进逻辑器件与 MTM 器件客户的工艺验证，并且结果获得客户高度认可。在泛半导体设备领域，公司正在开发更多化合物半导体外延设备，陆续付运至客户端开展生产验证。
公司本期归属于上市公司股东的净利润为 3.13 亿元，较上年同期增加 0.64 亿元，同比增长约
25.67%，本期增加的主要原因：（1）由于本期营业收入增长 35.40%，毛利较去年增加约 2.20 亿元。（2）由于市场对中微开发多种新设备的需求急剧增长，公司持续加大研发力度，以尽快补齐国产高端半导体设备短板，实现赶超，为持续增长打好基础。本期公司研发投入约 6.87 亿元，较
上年同期增加 3.26 亿元，同比增长约 90.53%。本期研发费用较上年同期增加 2.50 亿元，同比增
长约 116.80%。（3）本期公司持有的以公允价值计量的股权投资本期盈利约 0.04 亿元，与上年同期的亏损 0.41 亿元相比，增加约 0.45 亿元。（4）本期公司计入其他收益的政府补助较上年同期增加约 0.43 亿元。
本期归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 2.98 亿元，较上年同期增加 0.35
亿元，同比增长 13.44%，主要系公司毛利增加 2.20 亿元，本期研发费用增长 2.50 亿元，以及研
发加计扣除增长导致所得税费用同比减少约 0.22 亿元。
(二) 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
非经常性损益项目 本期金额 说明
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营
业务密切相关、符合国家政策规定、按照确定 7,525,485.45
的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府
补助除外
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业
务外，非金融企业持有金融资产和金融负债产 4,206,622.52
生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金
融负债产生的损益
委托他人投资或管理资产的损益 2,394,660.33
除上述各项之外的其他营业外收入和支出 3,285,752.84
减：所得税影响额 -2,636,152.21
少数股东权益影响额（税后） -2,186.05
合计 14,774,182.88
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
□适用 √不适用
(三) 主要会计数据、财务指标发生变动的情况、原因
√适用 □不适用
项目名称 变动比例（%） 主要原因
公司本期营业收入为 21.73 亿元，同比增长 35.40%。公司针对
先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付
运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器
营业收入 35.40 件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。公司为先进存储器件和逻辑
器件开发的六种薄膜设备已经顺利进入市场。公司 EPI 设备已
顺利进入客户端量产验证阶段，已完成多家先进逻辑器件与
MTM 器件客户的工艺验证。
由于市场对中微开发多种新设备的需求急剧增长，公司持续加
研发投入合计 90.53 大研发力度，以尽快补齐国产高端半导体设备短板，实现赶超，
为持续增长打好基础。本期公司研发投入约 6.87 亿元，较上年
同期增加 3.26 亿元，同比增长约 90.53%。
二、股东信息
(一) 普通股股东总数和表决权恢复的优先股股东
