证券代码:688012 证券简称:中微公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
2025 年第三季度报告
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重要内容提示:
公司董事会及董事、高级管理人员保证季度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
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第三季度财务报表是否经审计
□是 √否
公司 2025 年前三季度(1-9 月)营业收入为 80.63 亿元,同比增长约 46.40%。其中刻蚀设备
收入 61.01 亿元,同比增长约 38.26%;LPCVD 和 ALD 等薄膜设备收入 4.03 亿元,同比增
长约 1332.69%。
2025 年前三季度(1-9 月)归属于上市公司股东的净利润为 12.11 亿元,较去年同期增长约
32.66%。
根据市场需求,公司显著加大研发力度。2025 年前三季度公司研发支出 25.23 亿元,较去年
同期增长约 63.44%,研发支出占公司营业收入比例约为 31.29%。
公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升,先进逻
辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中 CCP
方面,公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长,60 比 1 超高深宽比介
质刻蚀设备成为国内标配设备,量产指标稳步提升,下一代 90 比 1 超高深宽比介质刻蚀设备
即将进入市场;ICP 方面,适用于下一代逻辑和存储客户用 ICP 刻蚀设备和化学气相刻蚀设
备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。公司为先进存储器件和逻
辑器件开发的 LPCVD、ALD 等多款薄膜设备已经顺利进入市场,并且设备性能完全达到国
际领先水平,薄膜设备的覆盖率不断增加。公司硅和锗硅外延 EPI 设备已顺利运付客户端进
行量产验证,并且获得客户高度认可。在泛半导体设备领域,公司正在开发更多化合物半导
体外延设备,已陆续付运至客户端开展生产验证。
审计师发表非标意见的事项
□适用 √不适用
一、主要财务数据
(一) 主要会计数据和财务指标
单位:元 币种:人民币
本报告期比 年初至报告期
项目 本报告期 上年同期增 年初至报告期末 末比上年同期
减变动幅度 增减变动幅度
(%) (%)
营业收入 3,101,963,845.38 50.62 8,062,565,115.42 46.40
利润总额 509,457,874.86 22.73 1,227,224,383.22 29.65
归属于上市公司股东的 505,275,864.47 27.50 1,211,192,400.82 32.66
净利润
归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益的净 348,036,426.83 5.46 886,804,273.29 9.05
利润
经营活动产生的现金流 1,095,412,692.01 不适用 1,298,309,239.31 385.23
量净额
基本每股收益(元/股) 0.81 26.56 1.94 31.08
稀释每股收益(元/股) 0.80 26.98 1.92 31.51
加权平均净资产收益率 2.38 增加 0.27 个 5.87 增加 0.91 个百
(%) 百分点 分点
研发投入合计 1,031,348,610.29 79.93 2,523,003,038.63 63.44
研发投入占营业收入的 33.25 增加 5.42 个 31.29 增加 3.26 个百
比例(%) 百分点 分点
本报告期末比
本报告期末 上年度末 上年度末增减
变动幅度(%)
总资产 29,786,854,954.28 26,217,544,719.07 13.61
归属于上市公司股东的 21,472,163,860.93 19,736,912,284.36 8.79
所有者权益
注:“本报告期”指本季度初至本季度末 3 个月期间,下同。
公司站在先进制程工艺发展的最前沿,坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护的基
本原则。坚持原创的设计,和国际领先的半导体客户公司同步前行。公司目前在研项目涵盖六类设备,超二十款新设备的开发。公司研发新产品的速度显著加快,过去通常需要三到五年开发一款新设备,现在只需两年或更短的时间就能开发出有竞争力的新设备,并顺利进入市场,公司有望在未来几年加速、大规模地推出多种新产品。
公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升,先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中 CCP 方面,公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长,60 比 1 超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备,量产指标稳步提升,下一代 90 比 1 超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场;ICP 方面,适用于下一代逻辑和存储客户用 ICP 刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。公司为先进存储器件和逻辑器件开发的 LPCVD、ALD 等多款薄膜设备已经顺利进入市场,并且设备性能完全达到国际领先水平,薄膜设备的覆盖率不断增加。公司硅和锗硅外延 EPI 设备已顺利运付客户端进行量产验证,并且获得客户高度认可。在泛半导体设备领域,公司正在开发更多化合物半导体外延设备,已陆续付运至客户端开展生产验证。
公司 2025 年前三季度(1-9 月)营业收入为 80.63 亿元,同比增长约 46.40%。其中刻蚀设备
收入 61.01 亿元,同比增长约 38.26%;LPCVD 和 ALD 等薄膜设备收入 4.03 亿元,同比增长约
1332.69%。
2025 年前三季度(1-9 月)归属于上市公司股东的净利润为 12.11 亿元,较上年同期增长约
2.98 亿元,同比增长约 32.66%,主要原因为:(1)2025 年前三季度营业收入增长 46.40%下,毛利较上年增长约 8.27 亿元;(2)由于市场对中微开发多种新设备的需求急剧增长,2025 年公司显著加大研发力度,以尽快补短板,实现赶超,为持续增长打好基础。2025 年前三季度公司研发支出较上年同期增长 9.79 亿元(增长约 63.44%),研发支出占公司营业收入比例约为 31.29%,远高于科创板均值;(3)由于市场波动,公司 2025 年前三季度计入非经常性损益的股权投资收益为3.29 亿元,较上年同期增加约 2.75 亿元。
2025 年前三季度(1-9 月)归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约 8.87 亿元,
较上年同期增加 0.74 亿元(增长约 9.05%),主要由于营业收入增长下毛利增加 8.27 亿元,以及
研发费用较上年同期增加 8.80 亿元。
(二) 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
非经常性损益项目 本期金额 年初至报告期末 说明
金额
非流动性资产处置损益,包括已计提 27,523,991.97 32,266,162.27
资产减值准备的冲销部分
计入当期损益的政府补助,但与公司
正常经营业务密切相关、符合国家政
策规定、按照确定的标准享有、对公 -4,668.70 17,823,330.56
司损益产生持续影响的政府补助除
外
除同公司正常经营业务相关的有效 157,821,642.60 329,034,514.74
套期保值业务外,非金融企业持有金
融资产和金融负债产生的公允价值
变动损益以及处置金融资产和金融
负债产生的损益
除上述各项之外的其他营业外收入 -381,360.81 2,544,804.10
和支出
减:所得税影响额 -27,743,522.56 -57,301,853.23
少数股东权益影响额(税后) -18,983.04 -21,169.09
合计 157,239,437.64 324,388,127.53
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。
□适用 √不适用
(三) 主要会计数据、财务指标发生变动的情况、原因
√适用 □不适用
项目名称 变动比例(%)