公司代码：688012 公司简称：中微公司
中微半导体设备（上海）股份有限公司
2024 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。
3、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4、 公司全体董事出席董事会会议。
5、 普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.00元（含税）。 截止 2024年 12 月31日，公司总股本622,363,735股，扣除公司回购专户的股份余额2,096,273股，即620,267,462股，以此计算合计拟派发现金红利186,080,238.60元（含税）。上述事项已经董事会审议通过，尚需提交股东大会审议。8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1、 公司简介
1.1 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 中微公司 688012 不适用
科创板
1.2 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
1.3 联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 刘方 胡潇
联系地址 上海市浦东新区金桥出口加工区（南 上海市浦东新区金桥出口加工
区）泰华路 188 号 区（南区）泰华路 188 号
电话 021-61001199 021-61001199
传真 021-61002205 021-61002205
电子信箱 IR@amecnsh.com IR@amecnsh.com
2、 报告期公司主要业务简介
2.1 主要业务、主要产品或服务情况
报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED 外延片生产、功率器件、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。
公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司 MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED 设备制造商。公司近两年新开发的 LPCVD 薄膜设备和ALD 薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得批量订单。
公司主要为集成电路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD 设备、薄膜沉积设备及其他设备。报告期内，公司主营业务未发生变化。
2.2 主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED 外延片、先进封装、MEMS 等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜设备和 MOCVD 设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。
2、研发模式
公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha 阶段、Beta 阶段、量产阶段。
公司按照刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD 设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。
3、采购模式
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全
球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。
4、生产模式
公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。
5、营销及销售模式
公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的销售和支持部门。
2.3 所处行业情况
(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受经济形势、半导体市场、终端消费市场需求等影响，其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户会调整其资本性支出规模和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生影响。
全球集成电路和以 LED 为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的 90%
以上，是半导体产品最重要的组成部分。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业、薄膜设备行业和 LED 设备行业中的 MOCVD 设备行业。
1、刻蚀和薄膜设备
集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集成电路设备整体市场规模的约 80%。
晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中制程步骤数量庞大，工艺开发颇具挑战性的三类核心设备。根据 Gartner 历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和 23%。
随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构 3D 化，晶圆制造向 5
纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14 纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层
数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成为关键核心的设备。
2、MOCVD 设备
MOCVD 设备广泛应用于包括光学器件、功率器件等多种薄膜材料的制备，是目前化合物半导体材料外延的核心装备。MOCVD 设备既能实现高难及复杂的化合物半导体材料生长，又能满足产业化对高效产出的需求，在化合物半导体芯片产业链中有着举足轻重的作用。
随着 LED 应用领域的不断拓展，MOCVD 设备除用于制造通用照明和背光显示的蓝光 LED，
还可制造应用于高端显示的 Mini-LED 和 Micro-LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外 LED、应用于电力电子的功率器件等。随着这些新兴领域的不断出现，预计 MOCVD 设备的市场有望进一步扩大。
过去几年，LED 外延芯片公司扩产的主要方向为蓝绿光外延片，下游应用也主要集中在照明市场。在 Mini-LED 背光及直接显示技术逐渐成熟，生产成本逐渐降低的推动下，近两年高端显示类的 LED 外延片需求量明显增加，并逐渐从商业显示逐步向个人消费领域渗透。Micro-LED 显示技术也越来越受到业内关注，基于 Micro-LED 的高端显示产品也开始实现小规模试生产，预计在未来几年将会有更多的新兴市场出现。外延片产品需求从单一的蓝光扩展到红绿蓝三色，外延材料增加了对砷化镓基红光外延片的需求。
此外，随着电动汽车、智能驾驶、消费电子、数据中心、风力与光伏储能等应用爆发式增长，带动功率半导体市场迎来高景气周期，尤其是氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体是近期的行业热点。据 Yole 公司报告，氮化镓功率器件主要应用在高频中小电压范围，预计市场规模将从
2023 年的 2.6 亿美金快速增长到 2029 年超过 20.1 亿美金，复合年均增长率达 41%。因此，面向
氮化镓功率器件的外延设备的需求具有很大的增长空间。
碳化硅功率器件主要应用在中高压领域，如新能源汽车、风能光伏储能、轨道交通等领域；尤其是在车用领域，预计未来几年在车载主逆变器、充电模块等应用将持续高速增长。据 Yole 公
司报告，碳化硅功率器件在 2029 年市场规模将达到 104 亿美金，2023 年至 2029 年复合年均增长
率超过 25%；因此，面向碳化硅外延生产设备的需求也有很大的增长空间。
(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况
目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整
体水平不断提高。
在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，海外少数几家公司占据主要市场份额；公司刻蚀设备已应用于全球先进的 5 纳米及以下集成电路加工制造生产线。在海外先进的 5 纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的 CCP 刻蚀设备均实现了批量销售，已有超过 300台反应台在生产线合格运转。公司的 ICP 双台机 Primo Twin-Star？，反应台之间刻蚀速度控制的最好精度已达到每分钟 0.2A（0.02 纳米，即 20 皮米）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径 2.5 埃的十分之一，是人类头发丝
平均直径的 350 万到 500 万分之一。200 片晶圆的重复性测试，在三种不同材料的晶圆上，两个
反应台刻蚀速度的差别，每分钟小于 1.5 埃。受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心
技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2024 年公司 CCP 和 ICP 刻蚀设
备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升。
在 MOCVD 领域，用于氮化镓基 LED
