证券代码：688693 证券简称：锴威特 公告编号：2025-007
苏州锴威特半导体股份有限公司
关于募投项目延期的公告
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。
重要内容提示：
苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“公司”）于 2025 年 2 月 27
日召开第二届董事会第十八次会议及第二届监事会第十三次会议，审议通过了《关于募投项目延期的议案》，同意将首次公开发行股票募投项目“智能功率半导体研发升级项目”、“SiC 功率器件研发升级项目”、“功率半导体研发工程中心
升级项目”达到预定可使用状态时间由 2025 年 3 月延期至 2028 年 3 月。保荐机
构华泰联合证券有限责任公司（以下简称“保荐机构”）对本事项出具了无异议的核查意见。该事项无需提交公司股东大会审议。
一、募集资金基本情况
根据中国证券监督管理委员会于 2023 年 7 月 7 日出具的《关于同意苏州锴
威特半导体股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可﹝2023﹞
1512 号），公司获准向社会公开发行人民币普通股 A 股 1,842.1053 万股，每股
发行价格为人民币 40.83 元，募集资金总额为 75,213.16 万元；扣除发行费用共计 8,733.27 万元（不含增值税金额）后，募集资金净额为 66,479.89 万元，上述资金已全部到位，经大华会计师事务所（特殊普通合伙）审验并于 2023 年 8 月14 日出具了《验资报告》（大华验字[2023]000479 号）。
为规范公司募集资金管理和使用，保护投资者权益，公司设立了相关募集资金专用账户。募集资金到账后，已全部存放于募集资金专项账户内，公司已与保荐机构、存放募集资金的商业银行签署了《募集资金专户存储三方监管协议》。
二、募集资金投资项目情况及使用情况
根据《苏州锴威特半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招
股说明书》，公司首次公开发行股票募投项目的具体情况及截至 2025 年 2 月 20
日的使用情况如下：
单位：万元
序 项目名称 投资总额 拟使用募集资金 截至 2025 年 2 月 20
号 日累计投入金额
1 智能功率半导体研发升级项 14,473.27 14,473.27 3,488.73
目
2 SiC 功率器件研发升级项目 8,727.85 8,727.85 1,141.76
3 功率半导体研发工程中心升 16,807.16 16,807.16 2,867.17
级项目
4 补充营运资金 13,000.00 13,000.00 13,000.00
合计 53,008.28 53,008.28 20,497.66
注：以上截至 2025 年 2 月 20 日数据未经审计。
三、募投项目延期的具体情况及原因
（一）募投项目延期的具体情况
公司经审慎研究，为严格把控募投项目整体质量，保障项目顺利开展，在不改变募投项目的投资内容、投资总额、实施主体及实施地点的前提下，结合公司目前募投项目的实际投入金额，拟将上述募投项目的达到预定可使用状态日期进行调整，具体见下表：
序号 项目名称 原项目达到预定可 本次调整后项目达到预
使用状态日期 定可使用状态日期
1 智能功率半导体研发升级项目 2025 年 3 月 2028 年 3 月
2 SiC 功率器件研发升级项目 2025 年 3 月 2028 年 3 月
3 功率半导体研发工程中心升级项目 2025 年 3 月 2028 年 3 月
（二）募投项目延期的原因
公司首次公开发行股票募投项目“智能功率半导体研发升级项目”、“SiC 功率
器件研发升级项目”、“功率半导体研发工程中心升级项目”均于 2022 年立项并启动规划建设周期，但公司于 2023 年 8 月在科创板上市,募集资金到账时间较项目筹划计划存在时间差异，自募集资金到位以来，公司董事会和管理层高度重视并积极稳妥推进募投项目的开展。
在募投项目实施过程中，受宏观复杂市场环境、下游需求变化等多种因素影响，国产功率器件厂商面临市场需求萎靡、行业竞争加剧等不利局面，公司为适应这些变化，依据中长期发展战略，采取了审慎的投资策略，结合项目实际开展情况逐步推进项目布局，力求在稳健中求进，实现可持续发展。
因此，公司审慎规划募集资金的使用，基于对市场形势的研判以及市场需求情况分析，提高募集资金使用效率，确保资金的安全性和投资效益，更好的保护公司及投资者的利益，在保持募投项目的投资方向、实施主体和实施方式未发生变更的情况下，对上述募投项目进行延期。本次募投项目延期不存在损害公司及股东利益的情况，不会对公司的正常经营产生重大不利影响，符合公司长远发展规划。
四、募投项目继续实施的必要性及可行性
根据《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号——规范运作》的相关规定，公司对上述募投项目的必要性及可行性进行了重新论证，具体论证情况如下：
（一）智能功率半导体研发升级项目
1、项目实施的必要性
公司是一家专注于功率器件与功率集成芯片的研发、设计和销售的技术驱动型高新技术企业。主营产品包括半导体功率器件（包括平面 MOSFET 、 FRMOSFET、Trench MOSFET、SGT MOSFET，超结 MOSFET、SiC 产品）、智能功率控制 IC（包括电源管理 IC、功率驱动 IC、集成模组等）、技术开发等多项产品和服务。
作为功率半导体领域的新兴力量，公司持续通过设计和工艺的紧密配合，在高压高速、大功率、高可靠性方面取得了重大突破。本项目未来三年拟推出的新产品主要包括高压半桥栅极驱动 IC、高功率密度电源管理 IC 产品及光继电器
(PhotoMOS)、智能功率模块 IPM 产品。高压半桥栅极驱动 IC、高功率密度电源管理 IC 产品主要涉及大功率 PWM 控制芯片、高速驱动芯片、负载均流控制芯片、理想二极管控制芯片以及高边功率开关控制芯片。智能功率模块主要包括光继电器(PhotoMOS)、智能功率模块 IPM。光继电器(Photo MOS)将 MOSFET 与光学控制芯片进行结合，利用光来控制 MOSFET 的通断，可替换传统继电器。智
能功率模块 IPM 通过将半桥驱动 IC 和 FRMOS、SJMOS-FD 封装集成一个系统
模块，与分立方案相比，智能功率模块 IPM 在减少占板空间、提升系统可靠性、简化设计和加速产品上市等方面都具有无可比拟的优势。
上述产品基于公司自主知识产权设计，制造全程可控，公司在半导体功率器件及智能功率 IC 领域均已具备较强的产品技术与工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线。该募投项目实施有助于进一步丰富公司主营产品品类、优化产品结构，是公司“器件+IC”产品布局规模化扩张的有效实践，通过工艺改进与设计优化，持续提升产品性能及竞争力，通过自主知识产权技术的成果转化，实现上述多个国内领先的功率半导体产品的量产和销售，从而带动公司营收规模的恢复与增长，提高公司盈利能力及市场占有率，确保公司的长期可持续发展的需求。
2、项目实施的可行性
公司坚持创新引领，在功率半导体领域深耕细作，持续创新技术、迭代产品，推动公司向功率半导体中高端领域快速拓展。目前公司已掌握业内出众的电子布图和工艺平台设计能力，具备推动产业向智能化转型升级的技术研发能力与产品国产化替代能力。公司立足于为国内外电子科技行业客户提供最精密、高效、可靠的高压集成 MOSFET、集成 FRD 以及高压启动、电流检测的 MOSFET、新一代IGBT和智能功率集成电路等功率半导体产品，几乎适用于所有的电子制造业，主打高可靠领域以及工业控制类中的工业 PC、机器人、无人机、各类仪器仪表和各类控制设备，家用电器空调、电动玩具、电动汽车等，客户群体及结构日益优化，将进一步为募投项目产能消化提供有力保障。
项目将实现规模化量产的功率半导体分立器件主要包括高压平面 MOS、集成快恢复二极管的 FRMOS、高可靠性超高压 MOSFET、第三代超结
MOSFET(SJMOS-FD)、40~200V 屏蔽栅 MOSFET 产品；智能功率控制 IC 包括
高压高速栅极驱动 IC、高功率密度电源管理 IC 产品；智能功率模块包括光继电器(PhotoMOS)、智能功率模块 IPM 产品。从终端应用来看，受数字经济、AI 及新质生产力发展的推动，在数据中心、人工智能、特高压、充电桩、工业互联网、高铁轨交等领域的建设将一定程度上驱动需求增长，为半导体产业发展带来新的历史机遇。
3、重新论证结论
公司认为“智能功率半导体研发升级项目”符合公司战略规划，仍然具备投资的必要性和可行性，公司将继续实施上述项目。同时，公司将密切关注相关条件变化，并对募集资金投资进行适时安排。
（二）SiC 功率器件研发升级项目
1、项目实施的必要性
公司规划建设 SiC 功率器件研发升级项目，通过购置更加先进的研发、测试设备，补充 SiC 功率器件、模块产品设计及测试、封装工程人才，旨在卡位 SiC功率器件景气赛道，基于在 SiC 功率器件量产上经验的充分积累加速项目的聚焦，保持公司在 SiC 功率器件领域的技术领先性及竞争优势。
SiC MOSFET 以及 SiC SBD 更适合高频、高温、高压、高功率以及耐辐射
的环境，SiC 功率半导体器件在技术方面的逐渐成熟叠加智能化、电气化趋势的持续演进，下游多重应用场景带来庞大的市场需求。公司紧抓市场机遇，在现有产能的基础上，拟对主营 SiC 功率半导体器件及模块产品进行研发、升级、扩产。
项目拟将 650V~1700V SiC MOFET、650V/1200V/1700V SiC SBD 由 4 寸产线升
级到 6 寸产线，同时在 6 寸产线上进一步优化工艺和器件结构，降低单位面积导通电阻，提升器件耐压性能并拓宽适用领域，使产品更具竞争力。在 SiC MOSFET
基础上集成 SBD，制作 650V 和 1200V 的 SKMOSFET，实现 SiC 模块（主要包
括基于 SiC SKMOS 的智能功率模块 IPM 及基于 SiC SKMOS 的功率模块）的研
发、规模化量产及销售。
随着项目产品的规模化量产
