公司代码：688375 公司简称：国博电子
南京国博电子股份有限公司
2024 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2、 重大风险提示
公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提请投资者注意查阅。
3、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4、 公司全体董事出席董事会会议。
5、 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司经本次董事会审议通过的利润分配方案为：以公司总股本 596,014,900 股为基数，公司拟
向全体股东每 10 股派发现金红利 4.0 元（含税），拟派发现金红利合计人民币 238,405,960 元（含
税），本次利润分配不送红股、不以公积金转增股本。
如在公司 2024 年度利润分配方案的公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转
债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。
本次利润分配方案尚需提交公司 2024 年度股东大会审议通过。
8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1、 公司简介
1.1 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 国博电子 688375 不适用
科创板
1.2 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
1.3 联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 刘洋 魏兴尧
联系地址 南京市江宁经济技术开发区正方中路 南京市江宁经济技术开发区正
155号 方中路155号
电话 025-69090053 025-69090051
传真 025-69090144 025-69090144
电子信箱 support@gbdz.net dshbgs@gbdz.net
2、 报告期公司主要业务简介
2.1 主要业务、主要产品或服务情况
国博电子主要从事有源相控阵 T/R 组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目
前国内能够批量提供有源相控阵 T/R 组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。
国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵 T/R 组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等，均属于模拟集成电路。
1、T/R 组件和射频模块
产品类别 主要产品 用途或功能
T/R 组件和射频模块 有源相控阵 T/R 组件 信号收发放大、移相衰减或混频处理功能
射频模块 信号的功率放大及控制
射频芯片 射频放大类芯片 实现信号功率放大或增益放大等功能
射频控制类芯片 实现射频通路或信道切换、信号步进衰减等功能
（1）有源相控阵 T/R 组件
T/R 组件是指在雷达或通信系统中用于接收、发射一定频率的电磁波信号，并在工作带宽内
进行幅度相位控制的功能模块，是有源相控阵雷达实现波束电控扫描、信号收发放大的核心组件。整个雷达系统由成百上千个辐射器按照一定的排布构成，每个辐射器后端均连接一个单独有源相控阵 T/R 组件，在波束形成器的控制下，对信号幅度和相位进行加权控制，最终实现波束在空间的扫描。因此，有源相控阵 T/R 组件的性能参数直接决定相控阵雷达系统的作用距离、空间分辨率、接收灵敏度等关键参数。此外，有源相控阵雷达需要数量众多的 T/R 组件共同构成有源相控阵阵面，有源相控阵 T/R 组件的性能也进一步决定了有源相控阵雷达系统的体积、重量、成本和功耗。
根据雷达的不同工作环境和不同的性能要求，有源相控阵 T/R 组件的构成形式不尽相同，但
其基本结构一致，主要由数控移相器、数控衰减器、功率放大器、低噪声放大器、限幅器、环形器以及相应的控制电路、电源调制电路组成。
（2）射频模块
在射频模块领域，国博电子相关产品主要包括大功率控制模块和大功率放大模块，产品覆盖多个频段，主要应用于移动通信基站等领域。
大功率控制模块是大功率移动通信系统信号发射和接收时信号控制的一个重要器件，对系统的性能有直接影响，通常位于通信系统的最前端，用于实现信号收发间的切换。大功率放大模块的功能是实现基站发射链路的信号功率放大，与功率控制模块共同组成了基站发射链路射频的最前端。大功率放大模块对整个基站发射信号质量、效率、功耗等一系列性能产生决定性的影响，是基站射频系统中关键的射频器件。
GaN 射频模块产品，目前主要应用于国内 4G、5G、U6G 通信基站，主要特性为大带宽，高
效率，高线性度，高功率，产品功率覆盖 100W-600W，主流通信频段均有批量应用。产品以金属陶瓷封装为主，塑封功放模组也形成批量产品。
2、射频芯片
国博电子射频芯片主要包括射频放大类芯片、射频控制类芯片，广泛应用于移动通信、通信感知、卫星通信等系统设备和手机、无人机、物联网等终端产品。公司基站类射频芯片产品主要用于通信系统设备发射和接收时的信号控制、切换、放大等功能，产品包含低噪声放大器、功率放大器及射频大功率开关等，是国内基站射频器件的核心供应商。公司终端类射频芯片产品包含射频开关、天线调谐器、WIFI 模组、终端模组等，供应链韧性及质量控制能力得到客户认可，已经开始向多家业内知名终端厂商批量供货；同时基于新型半导体工艺开发完成手机 PA 等新产品，逐步开始向客户供货。
（1）射频放大类芯片
公司射频放大类芯片产品主要包括低噪声放大器（Low-Noise Amplifier，简称 LNA）和功率放
大器（Power Amplifier，简称 PA）。低噪声放大器一般用于实现接收通道的射频信号放大，处于接收链路的前端，低噪声放大器的性能对整个通信设备的信噪比等指标至关重要。功率放大器的作用是对发射通道的射频信号进行放大，是无线通信设备射频的核心组成部分，影响整个无线通信设备发射性能、系统功耗等重要指标。
（2）射频控制类芯片
公司射频控制类芯片产品主要包括射频开关和数控衰减器。射频开关是指可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件，用于信号切换到不同的信号通路中去。数控衰减器主要用来控制微波信号幅度，实现对信号的定量衰减，通过数控衰减器调整射频链路的信号幅值，能够保证信号处在合适的电平上，从而防止发生过载、增益压缩和失真。
2.2 主要经营模式
国博电子主要从事有源相控阵 T/R 组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，具备
满足不同平台、不同需求的提供射频系统集成解决方案的能力，拥有完整的研发、采购、生产、销售及服务体系。
T/R 组件和射频模块领域，公司主要负责芯片设计，组件和模块的设计、制造以及测试，芯
片的生产、封装一般委托第三方厂商或机构完成。射频芯片领域，公司采用 Fabless 模式负责射频芯片的设计和质量把控，芯片的生产、封装、测试工作一般委托第三方厂商或机构完成。
公司建立了完备的采购控制程序和质量管理体系，建立了合格供应商名录；公司建立了较为完善的营销体系，与主要客户建立了稳定的合作关系，积极跟踪客户需求，依托自身的技术实力研发符合客户需求的产品。
2.3 所处行业情况
(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
国博电子主要从事有源相控阵 T/R 组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。根据
《上市公司行业分类指引》和《国民经济行业分类》，公司有源相控阵 T/R 组件和射频模块所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”，射频芯片所处行业为“I65 软件和信息技术服务业”。
集成电路行业作为全球信息产业的基础，经历了 60 多年的发展，如今已成为世界电子信息技
术创新的基石。集成电路行业派生出诸如 PC、互联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。
从芯片制造流程来看，集成电路产业链可以分为集成电路设计、制造、封装测试、原材料、设备及软件工具等子行业。集成电路企业往往具有人才密集、技术密集、资本密集等特点，对企业的研发水平、技术积累、研发投入、资金实力和产业链整合能力有较高要求。根据集成电路设计企业是否拥有集成电路生产、封装及测试生产线，集成电路企业主要可分为 IDM 模式、Fabless模式。
从信号分类上来看，集成电路可分为模拟集成电路和数字集成电路，其中模拟集成电路用于处理模拟信号（如温度、声音），数字集成电路用于处理数字信号（如 0、1），与数字集成电路相比，模拟集成电路具有设计门槛高、制程要求不高、种类繁杂和生命周期长等特点。模拟集成电路的下游市场应用非常广泛，广泛应用于通信、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
国博电子的主要产品包括有源相控阵 T/R 组件和射频集成电路，这两者均属于模拟集成电路
的范畴。随着雷达和通信技术的快速发展，模拟集成电路市场迎来了显著的增长机遇。然而，这也对射频器件、组件和模块的技术创新速度提出了更高的要求，直接推动了新材料如氮化镓（GaN）的应用以及集成技术的进步。这些技术有望在 5G、物联网、卫星通信、自动驾驶等多个应用领域
展现出其独特优势，进一步提升通信系统的效率和可靠性。同时，国际环境中的技术封锁和限制对我国射频电子行业的技术创新和升级带来了压力，尤其是在高端射频器件领域，如 5G-A、毫米波技术等，可能面临技术壁垒和供应链风险。
