公司代码：688234 公司简称：天岳先进
山东天岳先进科技股份有限公司
2024 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之四“风险因素”。
3、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4、 公司全体董事出席董事会会议。
5、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
综合考虑公司所处行业发展情况、公司发展阶段、公司实际经营情况等各方面因素，为更好的维护全体股东的长远利益，保障公司的可持续发展和资金需求，公司2024年度拟不派发现金红利，不进行公积金转增股本、不送红股。以上利润分配方案已经公司第二届董事会第十一次会议和第二届监事会第十次会议审议通过，尚需公司股东大会审议通过。
8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1、 公司简介
1.1 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称
人民币普通股（A股） 上海证券交易所科创板 天岳先进 688234 不适用
1.2 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
1.3 联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 钟文庆 王俊国
联系地址 山东省济南市槐荫区天岳南路99号 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
电话 0531-69900616 0531-69900616
传真 0531-87126500 0531-87126500
电子信箱 dmo@sicc.cc dmo@sicc.cc
2、 报告期公司主要业务简介
2.1 主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，2024 年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）稳居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。
公司专注于碳化硅行业已超过 14 年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进
一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优
势不断提高，目前公司量产碳化硅衬底的尺寸已从 2 英寸迭代升级至 8 英寸，公司于 2024 年推出
业内首款 12 英寸碳化硅衬底。不仅在碳化硅衬底大尺寸化上，公司在产业化能力和产品品质方面也能继续保持全球领先。通过推动产品大尺寸化、生产效率提升的双轮驱动，公司助力客户持续降低碳化硅衬底的规模化使用成本，推动碳化硅衬底在更多应用场景加速应用。
2、主要产品及服务情况
公司是全球领先的宽禁带半导体材料生产商，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。
可再生能源及 AI 技术革命使得全球工业发生重大转变，推动对更强大、更高效的功率半导体
器件需求的增长。传统的硅半导体因其固有的局限性已难以满足产业升级需求，这促使半导体行业寻求效率更高、寿命更长及性能更佳的材料。在行业创新发展过程中，碳化硅已成为改变游戏规则的材料，凭借其优异的性能为各行各业带来革命性的变化。
碳化硅材料是一种化合物宽禁带半导体材料，与传统硅相比具有以下优势：
2.1 禁带宽度更大，可适应更高的电压、频率及温度；
2.2 热导率更高，非常适合热负荷较大的器件；
2.3 击穿电场强度更高，可使器件更薄，导通电阻更低；
2.4 饱和电子漂移速率更高，开关速度更快。
上述特性提高了使用碳化硅衬底的终端产品的性能，使产品能够在更高的温度、电压及频率下运作，同时保持出色的效率。这使得功率密度提高，能量损耗减少，电子元件及系统的可靠性增强。因此，乘着可再生能源及 AI 领域需求激增的浪潮，以碳化硅为代表的创新宽禁带半导体材料对半导体行业产生重大影响。
公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货 8 英寸碳化硅
衬底的市场参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验。这使得公司能够于 2023 年量产 8 英寸碳化硅衬底，克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面控制及缺陷控制的
难题。于 2024 年 11 月，公司推出业内首款 12 英寸碳化硅衬底，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬
底时代迈出了重要一步。下图展示我们的碳化硅衬底样品：
公司专注于碳化硅衬底领域已超过 14 年，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上
的制造商建立业务合作关系，致力于为客户提供优质碳化硅衬底。通过科技创新，公司持续提升
客户产品在各行业中的性能。公司主要提供 4 英寸、6 英寸及 8 英寸碳化硅衬底，是全球少数能
同时提供各种尺寸的导电型及半绝缘型碳化硅衬底的公司之一。
2.2 主要经营模式
1、研发模式
我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：
1.1 我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研及对客户反
馈的分析，向研发团队提交需求申请；
1.2 需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目组，并由项
目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、项目目标及财务预算；
1.3 项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计方案完成实
验验证；
1.4 项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，
编写《项目验收报告》并交至研发团队审核；
1.5 项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。
2、采购模式
碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠性及有效性，使其就生产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新承诺的领先市场参与者合作。通过与上述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源，使公司能够在碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。
公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材料以及晶体生长、切片、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商订立长期合作协议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的存货水平、销售前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。
公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供应商。公司的采购计划根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询价，根据供应商的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以
减轻对我们原材料成本的影响。
3、生产模式
公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术升级及产品迭代奠定坚实的基础。
公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产品出现质量不合格问题时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行根本原因分析以及指定纠正及预防措施。公司的生产流程管理措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。
4、营销模式
公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发现市场机会并设计销售策略。
公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模式使我们能够取得以下优势：
4.1 自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；
4.2 精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；
4.3 响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；
4.4 凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而制定灵活的
营销战略；
4.5 通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。
公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以及其他定向营销及推广活动，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得客户。
2.3 所处行业情况
(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
能源变革和人工智能(AI)是未来科技革命的双重引擎。构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源变革和 AI 技术进步和融合发展的核心目标，碳化硅材料已经成为赋能能源变革及 AI实现核心发展目标的基石之一。
碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。碳化硅材料率先促进半导体行业变革，并开始在更多领域加速渗透应用，行业前景广阔。
相较硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体从材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅展现出独特的物理化学性能。碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。这些特性使得碳化硅在电动汽车及光伏等高性能应用领域中具有显著优势，尤其是在稳定性和耐用性方面。
碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器件、射频半导体器件以及光波导、TF-SAW 滤
