杭州广立微电子股份有限公司
2024 年年度报告
2025-014
2025 年 4 月
2024 年年度报告
第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
公司负责人郑勇军、主管会计工作负责人陆春龙及会计机构负责人(会计主管人员)盛龙凤声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。
本报告中如有涉及未来的计划、业绩预测等方面的内容，均不构成本公司对任何投资者及相关人士的承诺，投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。
公司在本年度报告中详细阐述了经营管理中可能面临的有关风险因素，详见“第三节管理层讨论与分析”之“十一、公司未来发展的展望”中“（三）可能面对的风险”。敬请投资者予以关注，并注意投资风险。
公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以 197,062,569 为基数，
向全体股东每 10 股派发现金红利 2.5 元（含税），送红股 0 股（含税），以资
本公积金向全体股东每 10 股转增 0 股。
目录
第一节 重要提示、目录和释义 ......2
第二节 公司简介和主要财务指标 ......8
第三节 管理层讨论与分析 ......12
第四节 公司治理......53
第五节 环境和社会责任 ......75
第六节 重要事项......77
第七节 股份变动及股东情况 ......114
第八节 优先股相关情况 ......122
第九节 债券相关情况 ......123
第十节 财务报告......124
备查文件目录
一、载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。
二、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
三、报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
四、其他相关资料。
以上备查文件的备置地点：公司董事会办公室。
释义
释义项 指 释义内容
广立微/本公司/公司 指 杭州广立微电子股份有限公司
长沙广立微 指 长沙广立微电子有限公司
上海广立微 指 广立微（上海）技术有限公司
广立测试 指 杭州广立测试设备有限公司
深圳广立微 指 深圳广立微电子有限公司
亿瑞芯 指 上海亿瑞芯电子科技有限公司
亿瑞芯共创 指 上海亿瑞芯共创企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
芯未来 指 杭州芯未来股权投资有限公司
新加坡广立微 指 SMTX TECHNOLOGIES SINGAPORE PTE.LTD.
三星电子 指 Samsung Electronics Co.,Ltd.
SK海力士 指 SK Hynix Inc
华力 指 上海华力微电子有限公司、上海华力集成电路制造有限公司，隶属
于上海华虹（集团）有限公司
卓胜微 指 江苏卓胜微电子股份有限公司
格科微 指 格科微有限公司
新思科技/Synopsys 指 Synopsys, Inc.
楷登电子/Cadence 指 Cadence Design Systems Inc
西门子/Siemens 指 SiemensAG
Ansys 指 ANSYS, Inc.
Altair 指 Altair Engineering Inc-A
成品率/良率 指 在集成电路制造中，指完成所有工艺步骤后测试合格的芯片的数量
与整片晶圆上的有效芯片的比值
晶圆厂 指 指专门从事晶圆加工代工的工厂、企业
AI 指 Artificial Intelligence，即人工智能
WSTS 指 World Semiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统计组织
先进的芯片集成技术，通过堆叠或并排互连多个芯片（Die），突破
2.5/3D 封装 指 传统单芯片封装的性能与面积限制，实现更高密度、更高带宽和更
低功耗的系统集成
DDR 指 Double Data Rate，一种内存技术标准，允许在时钟信号的上升沿和
下降沿传输数据，常见版本包括 DDR2、DDR3、DDR4、DDR5 等
High Bandwidth Memory，高带宽存储器，通过 3D封装堆叠和宽总
HBM 指 线设计提供超高带宽，常用于 GPU、AI 加速芯片等需要高速数据处
理的场景
Dynamic RandomAccess Memory，即动态随机存取存储器，是一种
DRAM 指 半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代
表一个二进制比特（bit）是 1还是 0
SRAM 指 Static Random-Access Memory，即静态随机存取存储器，其不需要
刷新电路即能保存它内部存储的数据
FLASH 指 一般指闪存芯片
NAND Flash 指 一种非易失性存储技术（断电后数据不丢失），广泛应用于固态硬盘
（SSD）、U盘、内存卡、手机存储等设备中
半导体芯片制造过程中所使用的工艺技术等级，通常以纳米（nm）
制程/工艺节点 指 为单位表示（如 7nm、5nm、3nm等），用于描述晶体管的关键尺寸
（如栅极长度），制程的进步直接影响芯片的性能、功耗和集成度
Fab 指 Fabrication（制造），同 Foundry，指专门负责生产、制造芯片的厂
家，常称作晶圆制造代工商
Fabrication（制造）和 less（无、没有）的组合词；一指集成电路市
Fabless 指 场中，没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式，通常也被称
为“Fabless模式”；也用来指代无芯片制造工厂的 IC设计公司，经
常被简称为“无晶圆厂”或“Fabless厂商”
Integrated Device Manufacturer，是集成电路行业中采用垂直集成制
IDM 指 造模式的企业，主要业务包含了芯片设计、晶圆制造、封测等全部
芯片制造环节
Foundry 指 指专门负责生产、制造芯片的厂家，常称作晶圆制造代工商
封测 指 半导体器件封装和测试两个环节的统称
nm 指 纳米，是一个长度单位
Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管，是一种 3D结构晶体
FinFET 指 管，用于替代传统的平面型 MOSFET（金属
