300316 深市 晶盛机电

股票代码：300316                                      股票简称：晶盛机电
    浙江晶盛机电股份有限公司

        （浙江省绍兴市上虞区通江西路 218 号）

          向特定对象发行股票

      募集资金使用可行性分析报告

                二〇二一年十月


                    释义

    在本报告中，除非文义另有所指，下列简称具有如下含义：
一、基本术语
晶盛机电、公司、发行人  指  浙江晶盛机电股份有限公司

本次发行、本次向特定对  指  本次浙江晶盛机电股份有限公司向特定对象发行 A 股
象发行                      股票的行为

本预案                指  浙江晶盛机电股份有限公司向特定对象发行股票预案

定价基准日            指  本次发行期首日

股东大会              指  浙江晶盛机电股份有限公司股东大会

董事会                指  浙江晶盛机电股份有限公司董事会

监事会                指  浙江晶盛机电股份有限公司监事会

《公司法》            指  《中华人民共和国公司法》

《证券法》            指  《中华人民共和国证券法》

《注册管理办法》      指  《创业板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》

《公司章程》          指  《浙江晶盛机电股份有限公司章程》

中国证监会、证监会    指  中国证券监督管理委员会

深交所                指  深圳证券交易所

A股                  指  人民币普通股

元、万元、亿元        指  人民币元、人民币万元、人民币亿元

二、专业术语

SiC、碳化硅            指  Silicon Carbide，碳和硅的化合物，一种宽禁带半导体材
                            料，系第三代半导体材料之一

                            沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有
衬底晶片              指  特定晶面和适当电学、光学和机械特性，用于生长外延
                            层的洁净单晶圆薄片

功率器件              指  用于电力设备的电能变换和控制电路的分立器件，也称
                            电力电子器件

                            在能带结构中能态密度为零的能量区间，常用来表示价
禁带                  指  带和导带之间的能量范围。禁带宽度的大小决定了材料
                            是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。第三代半导体
                            因具有宽禁带的特征，又称宽禁带半导体


长晶炉                指  晶体生长炉

                            World SemiconductorTrade Statistics，世界半导体贸易统
WSTS                  指  计协会的简称，致力于提供全球半导体行业市场统计数
                            据的全球性协会

                            Semiconductor Equipment and Materials International，国
SEMI                  指  际半导体产业协会的简称，致力于促进微电子、平面显
                            示器及太阳能光电等产业供应链的整体发展

                            Yole Développement，一家法国市场研究与战略咨询公
Yole                  指  司，专注于半导体和微制造技术应用领域的市场研究与
                            咨询

IC Insights              指  IC Insights,Inc.，一家总部位于美国的半导体行业知名研
                            究机构

                            Wolfspeed, Inc.，前称“Cree, Inc.” (Nasdaq: CREE)，一
Wolfspeed              指  家总部位于美国的碳化硅和氮化镓等第三代半导体领
                            域的全球知名企业

II-VI                  指  II-VI Incorporated.，一家总部位于美国的工程材料和光
                            电元件领域的全球知名企业

ROHM                指  ROHM Co., Ltd，一家总部位于日本的全球知名半导体
                            企业

一、本次募集资金使用计划

    本次向特定对象发行募集资金总额不超过 570,000.00 万元（含本数），在扣
除发行费用后拟全部用于以下项目：

                                                                  单位：万元

 序号            项目名称              投资总额      拟投入募集资金金额

  1    碳化硅衬底晶片生产基地项目          336,000.00              313,420.00

  2    12 英寸集成电路大硅片设备测试        75,000.00              56,370.00
      实验线项目

  3    年产80台套半导体材料抛光及减        50,000.00              43,210.00
      薄设备生产制造项目

  4    补充流动资金                        157,000.00              157,000.00

                合计                      618,000.00              570,000.00

    在本次发行募集资金到位前，公司将根据募集资金投资项目的实际情况，以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后按照相关规定的程序予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，在本次发行募集资金投资项目范围内，公司将根据实际募集资金数额，按照项目的轻重缓急等情况，调整并最终决定募集资金的具体投资项目、优先顺序及各项目的具体投资额，募集资金不足部分由公司自筹解决。
二、本次募集资金使用的必要性和可行性分析

    （一）碳化硅衬底晶片生产基地项目

    1、项目基本情况

  项目名称    碳化硅衬底晶片生产基地项目

 项目实施主体  宁夏创盛新材料科技有限公司
 项目实施地址  宁夏回族自治区银川市西夏区经济技术开发区
 项目建设内容  土地购置、厂房建设、辅助设施建设、设备采购及安装等。

 项目设计产能  年产 40 万片 6英寸及以上尺寸的导电型和半绝缘型碳化硅衬底晶片


 项目投资规模  项目投资总额为 336,000.00万元，拟使用募集资金 313`,420.00 万元

    2、项目建设的必要性

    （1）响应国家号召，助力半导体产业国产替代化

    半导体产业是我国重点鼓励发展的产业，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业。发展半导体产业是实现传统产业改造和产品技术升级的重要路径，是支撑新一代信息技术、物联网、云计算、新能源等新兴产业发展的必由之路，半导体产业已提升到国家战略高度。特别是近几年来，随着全球贸易摩擦持续，半导体作为信息产业的基石，一直是各国贸易战的焦点。此外，全球半导体行业正在进行着第三次半导体产业链转移。随着中国市场广阔的半导体需求以及产能的扩张，中国大陆将成为第三次半导体产业链转移的主要阵地。当前，碳化硅产业链主要以海外企业为主，碳化硅衬底市场主要由 Wolfspeed 公司、II-VI 公司、ROHM 公司等境外公司占据，国内碳化硅行业还处于成长期，从企业和竞争格局的角度来看，技术问题尚没有完全解决，传统海外龙头依靠着技术优势和工艺成熟度构筑了壁垒。目前，国内碳化硅衬底大部分都是依赖于其他渠道的进口采购。

    公司布局碳化硅衬底晶片生产基地项目，是对于行业未来发展趋势的充分认知。碳化硅衬底晶片生产基地项目的实施有利于打破 Wolfspeed、II-VI 等传统国外碳化硅生产龙头企业的行业垄断地位，逐步改变国内碳化硅衬底主要依靠进口的现状，有利于响应国家呼应，把握国产替代东风，有利于提高碳化硅材料的国产化率，助力半导体产业国产替代化进程。

    （2）顺应行业发展趋势，提早布局碳化硅晶片市场

    硅是制造半导体芯片及器件最为主要的原材料，但近几年来，全球半导体行业在电子信息产业不断迭代的背景下快速发展，传统依靠硅制造的芯片和器件已经难以满足高功率和高频器件的需求，以碳化硅材料为典型代表的第三代半导体材料正逐步在高功率和高频领域替代硅。第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料的主要区别在禁带宽度上。具体来说，禁带宽度是判断一种半导体材料击穿电压高低的重要标志，禁带宽度值越大，则这种材料做成器件耐高
压的能力越强。除了更耐高压，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远远好于硅基器件。与同类硅基产品相比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。此外碳化硅材料能够把器件体积做的越来越小，能量密度越来越大，这也是全球主要的半导体巨头都在不断研发碳化硅器件的重要原因。随着 5G 基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求不断上升，碳化硅的市场预期规模必将不断扩大，行业应用的替代前景不断向好。

    公司得益于下游应用的推广、半导体技术的革新和政策指引，近年来国内对碳化硅领域的投资快速增加。公司在碳化硅领域的研究持续多年，已具备六英寸碳化硅的长晶技术和晶片加工工艺。公司抓住第三代半导体材料历史发展机遇，快速切入碳化硅材料领域。本项目的实施有助于公司顺应行业的发展趋势，有利于在未来市场竞争中获得先机，有利于实现产品稳定批量化生产，为市场提供高品质碳化硅晶片，有利于缓解下游应用端的材料短缺困境。

    （3）发展半导体材料端，是公司发展的重要战略方向

    公司是国内领先的半导体材料装备和 LED衬底材料制造的高新技术企业,以
“打造半导体材料装备领先企业，发展绿色智能高科技制造产业”为使命，围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料开发出一系列关键设备，并适度延伸到材料领域。经过多年的技术研发投入，公司已经成功开发出第三代半导体材料碳化硅长晶炉、抛光机、外延设备，产业化前景较好。公司的半导体硅片抛光液、半导体坩埚、磁流体等重要半导体零部件、耗材已经取得客户的认证应用，进一步提升了公司在国内半导体材料客户中的综合配套能力，丰富了公司半导体材料产品端的产业链。此外，随着新能源汽车、智能电网、5G 通讯、光伏发电、消费电子等领域的深入发展，带动了市场对半导