神工股份:锦州神工半导体股份有限公司2025年年度报告

公司代码：688233                            公司简称：神工股份

      锦州神工半导体股份有限公司

            2025 年年度报告


                          重要提示

一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示

    公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论
与分析”之“四、风险因素”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、容诚会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、公司负责人潘连胜、主管会计工作负责人常亮及会计机构负责人（会计主管人员）陈琪声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

    公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份数为基数分配利润。本次利润分配方案如下：公司拟向全体股东每10股派发现金红利1.85元（含税）。公司总股本170,305,736股，扣除回购专用账户635,016股，可参与利润分配股数169,670,720股，合计拟派发现金红利31,389,083.20元（含税）。本年度公司现金分红占合并报表中归属于上市公司股东净利润的比例为30.76%，2025年度公司不送红股、不进行资本公积转增股本。如在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动或实施股份回购，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例，并将另行公告具体调整情况。本事项已获公司第三届董事会第十二次会议审议通过，尚需提交公司股东会审议。
母公司存在未弥补亏损
□适用 √不适用
八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用


    公司年度报告中涉及公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。
十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十三、 其他
□适用 √不适用


                            目录


第一节      释义...... 5

第二节      公司简介和主要财务指标......6

第三节      管理层讨论与分析......11

第四节      公司治理、环境和社会......46

第五节      重要事项......69

第六节      股份变动及股东情况......89

第七节      债券相关情况......94

第八节      财务报告......95

                    载有公司负责人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责（会计主管
                    人员）签名并盖章的财务报表。

    备查文件目录    载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。

                    报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及
                    公告的原稿。


                        第一节  释义

一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
神工股份、公司、本公  指  锦州神工半导体股份有限公司
司

更多亮                  指  更多亮照明有限公司，系公司股东

矽康                    指  矽康半导体科技（上海）有限公司，系公司股东

中晶芯                  指  北京中晶芯科技有限公司，系公司全资子公司

日本神工                指  日本神工半导体株式会社，系公司全资子公司

上海泓芯                指  上海泓芯企业管理有限责任公司，系公司全资子公司

福建精工                指  福建精工半导体有限公司，系北京中晶芯科技有限公司控股
                              子公司

锦州精合                指  锦州精合半导体有限公司，系福建精工半导体有限公司全资
                              子公司

                              在氩气气氛下进行高温退火的工艺，能够有效地消除硅片近
氩气退火工艺            指  表面区域缺陷,提高硅片质量。还可利用退火工艺在硅片内部
                              形成氧沉淀来提高硅片的内吸杂能力,进而提高硅片质量

SEMI                    指  Semiconductor Equipment and Materials International，国际半
                              导体设备和材料协会

WSTS                    指  World Semiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统计协
                              会

                              Bulk Micro Defect，体微缺陷，硅片在经过热处理之后的氧析
BMD                    指  出物，通常分布于硅片内部，能够吸收硅片表层热扩散而来
                              的金属杂质

STIR                    指  Site Total lndicator Reading，局部平整度，硅片的每个局部区
                              域面积表面与基准平面之间的最高点和最低点的差值

TTV                    指  Total Thickness Variation，总厚度偏差，指硅片的最大与最小
                              厚度之差值

                              Through-Silicon Via，硅通孔工艺，在集成电路内部穿过硅片
TSV                    指  进行垂直连接，以实现更高的集成度和更快的数据传输速
                              度。TSV 工艺在三维集成电路和芯片层间连接中发挥关键作
                              用

                              High Bandwidth Memory，高带宽内存，是一种基于堆叠技术
HBM                    指  的内存架构或产品，通过在一个封装中堆叠多个 DRAM 芯片
                              来提供高带宽和低能耗的内存解决方案

                              硅（Si）的单晶体，也称硅单晶，是以高纯度多晶硅为原
单晶硅（硅晶体）        指  料，在单晶硅生长炉中熔化后生长而成的，原子按一定规律
                              排列的，具有基本完整点阵结构的半导体材料

多晶硅                  指  由具有一定尺寸的硅晶粒组成的多晶体，各个硅晶粒的晶体
                              取向不同，是生产单晶硅棒的直接原料

                              晶圆制造过程中干式刻蚀工艺的主要设备，主要分成 ICP 与
                              CCP 两大类。其原理是利用 RF 射频电源，由腔体内的硅上
等离子刻蚀机            指  电极将混合后的刻蚀气体进行电离，形成高密度的等离子
                              体，从而对腔体内的晶圆进行刻蚀，形成集成电路所需要的
                              沟槽

热场                    指  用于提供热传导及绝热的所有部件的总称，由加热及保温材


                              料构成，对炉内原料进行加热及保温的载体，是晶体生长设
                              备的核心部件

单晶硅棒                指  由多晶硅原料通过直拉法生长成的棒状硅单晶体，晶体形态
                              为单晶

                              硅基半导体集成电路制作所用的单晶硅片。由于其形状为圆
晶圆、硅片              指  形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结
                              构，而成为有特定电性功能之集成电路产品

                              集成电路制造主要工艺之一的“干式（等离子）刻蚀”所用。
电极，刻蚀机电极，硅        等离子刻蚀设备腔体内的核心零部件。从控制腔体内洁净度
上电极，硅片托环、硅  指  等方面考虑，材料多采用与硅片同质的大直径硅材料，经精
零部件                        密加工后，成为刻蚀机腔体中硅上电极，或与晶圆直接接触
                              的硅片托环等硅零部件

芯片                    指  集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测
                              试后的产品

良率、良品率、成品率    指  满足特定技术标准的产品数量占全部产品的数量比率

一致性                  指  不同批次产品核心质量参数的重复性和稳定性

元、万元、亿元          指  人民币元、万元、亿元

报告期、本报告期        指  2025 年 1 月 1 日至 2025 年 12 月 31 日

              第二节  公司简介和主要财务指标

一、公司基本情况

公司的中文名称                      锦州神工半导体股份有限公司

公司的中文简称                      神工股份

公司的外文名称                      Thinkon Semiconductor Jinzhou Corp.

公司的外文名称缩写                  ThinkonSemi

公司的法定代表人                    潘连胜

公司注册地址                        辽宁省锦州市太和区中信路46号甲

公司注册地址的历史变更情况          报告期内无

公司办公地址                        辽宁省锦州市太和区中信路46号甲

公司办公地址的邮政编码